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利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si(100)上合成局域异质外延金刚石膜

廖克俊 , 王万录

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.02.007

本文利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si(100)上获得了局域异质外延金刚石膜.由Raman背散射强度(在1332cm-1处)旋转角依赖关系表明,金刚石膜与Si(100)的定向关系为dia(100)∥Si(100)和dia[110]∥Si[110].在金刚石膜的成核阶段,位于衬底和灯丝之间的电极相对于灯丝施加一负偏压,获得的金刚石膜用扫描电镜和Raman谱表征.对实验结果进行了简要的讨论.

关键词: 异质外延金刚石膜 , 热灯丝CVD , 发射电子 , 金刚石成核

形变引发碳纳米管膜电阻变化的研究

吕建伟 , 王万录 , 廖克俊 , 万步勇 , 张毅

功能材料

研究了碳纳米管膜形变诱导电阻的变化.所用的碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法合成的.实验表明碳纳米管膜具有显著的形变诱导电阻变化的特性.室温下碳纳米管膜电阻的增减与施加形变的方向有关,其电阻相对变化量的大小与形变量之间呈近似线性关系.同多壁管膜相比,单壁管膜的电阻变化强于多壁管膜,化学处理对该效应有明显的增强作用.电阻随形变变化的原因可能是能隙变化和管之间接触电阻变化所致.

关键词: 碳纳米管 , 电阻 , 传感器 , 热灯丝CVD

负衬底偏压热灯丝CVD金刚石膜成核的研究

王万录 , 廖克俊 , 方亮 , 王必本 , 冯斌

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.01.013

本文利用扫描电子显微镜和原子力显微镜研究了Si(100)衬底上热灯丝金刚石膜成核过程.在-240V和250mA下,在镜面抛光的Si(100)衬底上金刚石最大成核密度超过了1010cm-2.研究表明,负衬底偏压增强成核主要是发射电子和离子轰击的结果.

关键词: 热灯丝CVD , 金刚石薄膜 , 成电核子发射

负衬底偏压对碳纳米管生长的影响

王必本 , 徐幸梓

材料导报

利用负衬底偏压增强热灯丝化学气相沉积系统制备了碳纳米管.用扫描电子显微镜研究了碳纳米管的生长,结果表明碳纳米管的生长随着负衬底偏压的增大先增强,然后减弱,并且出现了部分准直的碳纳米管.分析和讨论了负衬底偏压对碳纳米管生长的影响.

关键词: 碳纳米管 , 热灯丝CVD , 负衬底偏压

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