郝世明
,
聂祚仁
中国稀土学报
利用脉冲激光沉积在不同真空度下制备了不同La/O的La-Mo薄膜阴极,测量其发射性能并进行了原位AES分析,讨论了氧在镧钼阴极热电子发射中的作用.过多的氧易形成稳定的氧化镧,不利于电子发射;适当比例的氧可以减缓镧的蒸发,有助于阴极的稳定工作.La-O化合物中氧空位的形成有利于阴极的电子发射,氧缺位增强了镧氧化合物的半导体性.
关键词:
热电子发射
,
阴极
,
氧空位
,
稀土
聂祚仁
,
周美玲
,
王金淑
,
张久兴
,
左铁镛
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.02.018
激活后发射良好的Mo-La2O3阴极表层含有大量镧,原子浓度比约为 (稍大于) 10%;发射衰减的阴极表层中镧含量减少,未激活的原始阴极丝表层中镧更少.对不同状态阴极中氧含量及其变化的比较,以及碳、钼峰分析认为:发射良好阴极中镧的活性程度较大,即超额镧的存在是影响阴极工作性能的主要因素;衰减后阴极中镧的总量虽不小,但镧的活性显著降低是阴极发射不好的主要原因.
关键词:
Mo-La2O3
,
AES
,
热电子发射
,
阴极
席晓丽
,
聂祚仁
,
郭艳群
,
杨建参
,
左铁镛
中国稀土学报
以纳米Ce-W粉末为原料制备了纳米Ce-W发射材料, 利用扫描电镜和原位俄歇电子能谱等现代分析技术研究了材料的形貌、铈的分布和高温扩散、以及材料的表面性能, 并采用自行研制的微机控制全自动电子发射测量装置测量了材料热发射性能. 研究表明, 纳米Ce-W材料晶粒细小, 稀土元素铈的分布更弥散均匀, 铈向表面扩散的能力增强. 高温下材料表层形成了含有超额铈的活性层, 纳米Ce-W材料的活性层厚度增大, 超额铈的含量增多, Ce/O的活性层更厚, 因此热发射性能更优异.
关键词:
纳米
,
热电子发射
,
均匀分布
,
表面特性
,
稀土
饶早英
,
王蜀霞
,
梁孝云
,
杨云青
,
胡慧君
,
牛君杰
材料导报
碳纳米管薄膜具有优于传统发射器件的场发射特征,但它的场发射电流曲线只在低场区与特征曲线符合较好,在高场区偏离特征曲线.讨论了热电子发射、量子隧穿导致的位相改变对发射电流的影响,分析了场发射电流、位相的变化,解释了高场区发射电流曲线偏离的原因.
关键词:
场发射
,
热电子发射
,
势垒
,
位相变化
何国荣
,
渠红伟
,
杨国华
,
郑婉华
,
陈良惠
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.04.015
Ⅲ-Ⅴ族晶片键合技术对于光电器件的制备和实现光电集成有着重要意义,然而,对于键合界面的电学性质仍然研究较少.采用热电子发射理论,基于界面态能级在禁带中连续分布的假设,根据分布函数结合Ⅰ-Ⅴ测试曲线可建立键合结构的界面态计算模型.利用该模型对不同条件下键合的InP/GaAs电学性质做了分析比较,通过初始势垒的确定,计算并比较了各种键合条件下GaAs/InP键合时的界面电荷及界面态密度.实验及计算结果表明疏水处理表面550℃条件下键合晶片对有更低的表面初始势垒和更少的界面态密度,具有更好的Ⅰ-Ⅴ特性.
关键词:
材料
,
界面态密度
,
热电子发射
,
键合
