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搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管直流电应力下的退化行为与退化机制研究

张猛 , 夏之荷 , 周玮 , 陈荣盛 , 王文 , 郭海成

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20153002.0187

研究了搭桥晶粒(BG)多晶硅薄膜晶体管(TFT)在直流电应力下的退化行为和退化机制。与普通多晶硅 TFT 相比,BG 多晶硅 TFT 展现出更好的直流应力可靠性。主要体现在 BG 多晶硅 TFT 拥有更好的直流负偏压温度不稳定性(NBTI)可靠性,更好的直流自加热(SH)可靠性,更好的直流热载流子(HC)可靠性。有源沟道区的 BG 结构是上述直流应力可靠性提高的主要原因。更好的 NBTI 的可靠性主要源于沟道内的硼氢键的形成;更好的 SH 可靠性主要源于在沟道长度方向上更快的焦耳热扩散率;更好的 HC 可靠性主要源于漏端横向电场(E x )的减弱。所有的测试结果都表明,这种高性能高可靠性的 BG 多晶硅 TFT 在片上系统中具有很大的应用前景。

关键词: 搭桥晶粒 , 多晶硅 , 薄膜晶体管 , 负偏压温度不稳定性 , 自加热 , 热载流子

采用半背沟注入提高PDSOI nMOSFETs的热载流子可靠性

吴峻峰 , 毕津顺 , 李多力 , 薛丽君 , 海潮和

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.05.006

提出了一个提高PDSOI nMOSFETs可靠性的方法,并且研究了这种器件的热载流子可靠性.这种方法是在制造器件中,进行背沟道注入时只注入背沟道一半的区域.应力试验结果表明这种新的器件和常规器件相比,展示了较低的热载流子退变.2D器件模拟表明在漏端降低的峰值电场有助于这种器件提高的热载流子可靠性.

关键词: 半背沟 , 热载流子 , 可靠性

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