齐海涛
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张丽
,
洪颖
,
史月增
,
郝建民
硅酸盐通报
研究了SiC上AlN晶须的气相生长技术.通过对生长温度和压力的调控,获得了六方柱状、台梯状和条带状三种形貌的AlN晶须.柱状晶须长度可达35 mm,直径lμm左右.通过扫描电镜和XRD分析,探讨了AlN晶须形态、结晶取向和生长条件之间的关系.低温、低压、较高饱和度条件下,AlN晶须沿[0001]方向生长,发育为六方细柱.随着生长温度提高,AlN晶须的优先生长面转向{1-102}面,形貌变为笔直的台梯状.继续增加压力,{10-10}面成为优先生长面,晶须呈现卷曲的条带状.
关键词:
AlN
,
晶须
,
物理气相传输法
,
晶体形态
杨东杰
,
李丽丽
材料开发与应用
本文介绍了SiC半导体材料的性能优势,应用前景和制备方法,重点对物理气相传输法(PVT)制备SiC单晶做了描述,分析了SiC单晶材料国内外产业发展现状及发展瓶颈,同时对SiC单晶材料的发展趋势进行了展望.
关键词:
SiC
,
半导体
,
器件
,
物理气相传输法
张福生
,
陈秀芳
,
崔潆心
,
肖龙飞
,
谢雪健
,
徐现刚
,
胡小波
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160129
采用物理气相传输法(PVT)制备了2英寸Ge掺杂和非掺SiC晶体,并使用二次离子质谱仪(SIMS)、显微拉曼光谱(Raman spectra)仪、体式显微镜、激光共聚焦显微镜(LEXT)和高分辨X射线衍射(HRXRD)仪等测试手段对其进行了表征.结果表明,Ge元素可以有效地掺入SiC晶体材料中,且掺杂浓度达到2.52×1018/cm3,伴随生长过程中Ge组份的消耗和泄漏,掺杂浓度逐渐降低;生长初期高浓度Ge掺杂会促使6H-SiC向15R-SiC晶型转化,并随着生长过程中Ge浓度的降低快速地转回6H-SiC稳定生长.用LEXT显微镜观察发现,生长初期过高的Ge掺杂导致空洞明显增多,位错密度增加,掺杂晶体中位错密度较非掺晶体增大一倍.HRXRD分析表明掺Ge能增大SiC晶格常数,这将有利于提高与外延Ⅲ族氮化物材料适配度,并改善器件的性能.
关键词:
物理气相传输法
,
Ge掺杂
,
SiC晶体
,
晶格常数
