刘勇
,
曹勇
,
董刚强
,
郭宇坤
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刘丰珍
人工晶体学报
采用铝诱导表面织构方法在玻璃衬底上制备了蜂窝状的凹坑结构;使用热丝化学气相沉积技术在该类衬底上制备了硅薄膜.扫描探针显微镜(SPM)图像表明,通过改变刻蚀时间、刻蚀溶液比例、Al膜厚度和退火时间等制备条件,可以有效控制玻璃表面凹坑结构的尺寸,使其在直径上从0.5μm到6μm,深度上从60 nm到700 nm可调.光吸收谱测试表明此类衬底对硅薄膜的光吸收有着明显的增强效果,以凹坑平均直径为2.3 μm,深度为358nm的铝诱导表面织构玻璃为衬底所制备的厚度为150 nm的硅薄膜,在350～1200 nm波长范围内的光吸收与使用平面玻璃为衬底的样品相比可提高28.5％.凹坑的尺寸大小对光吸收增强效果有重要影响.
关键词:
铝诱导织构
,
热丝化学气相沉积
,
硅薄膜
,
陷光结构
,
玻璃衬底
陈伟绩
,
秦福文
,
吴爱民
,
王文彦
功能材料
采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在康宁7101型普通玻璃衬底上低温沉积氮化镓(GaN)薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统检测样品,研究了衬底氮化时间对GaN薄膜质量的影响.结果表明,氮化时间为5min时,得到的GaN薄膜呈高度c轴择优取向,结晶性较好,薄膜表面是由许多亚微米量级的表面岛按一致的取向规则堆砌而成的,薄膜表面较为平整且呈n型导电;氮化时间增加,薄膜结晶性反而变差.
关键词:
GaN
,
氮化
,
ECR-PEMOCVD
,
玻璃衬底
张煜
,
张锦文
,
王欣
,
周吉龙
功能材料与器件学报
垂直通孔引线是圆片级封装方法的关键技术之一.针对玻璃衬底垂直通孔引线技术,本文就通孔引线寄生电容开展了研究.首先,利用Ansoft Maxwell 3D对其寄生电容进行了建模和模拟仿真,研究了不同通孔底面直径(d)、玻璃衬底厚度(t)和通孔中心间距(g)的影响.其次,基于微加工工艺,制备了圆片级玻璃衬底的垂直通孔引线样品.最后,对实验加工样品电容进行测试,并与模拟结果进行了比较与分析.
关键词:
寄生电容
,
玻璃衬底
,
垂直通孔引线
,
圆片级封装
陈阳阳
,
史永胜
,
宁磊
材料导报
采用RF磁控溅射法在玻璃衬底和PET衬底上沉积了Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜,衬底的直流偏压为0～50V.主要研究了薄膜的结构、光学和电学特性.在玻璃衬底上制备AZO薄膜的沉积速率随偏压的升高而增大,然而再增加偏压时反而下降.当偏压为30V时,在玻璃衬底上制备的薄膜的最低电阻率为6.5×10-4Ω·cm,在波长450～800nm内的平均透射率大于80%;在PET衬底上制备的薄膜也有相似的特性,但没有在玻璃衬底上制备的好.
关键词:
AZO
,
玻璃衬底
,
PET
,
光电性能
邱法斌
,
骆文生
,
张玉
,
刘传珍
,
荆海
,
黄锡珉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2001.03.002
在PECVD法制备a-Si∶H薄膜材料基础上, 以XeCl准分子激光烧结为手段, 对在玻璃衬底上制备多晶硅薄膜材料的工艺条件进行了探索, 利用XRD、 SEM、 Raman光谱等分析测试手段对所制备材料的结构特征进行了表征. 较高的衬底温度、合适的激光能量密度和脉冲频率, 有利于获得高质量的多晶硅薄膜.
关键词:
多晶硅膜
,
准分子激光烧结
,
玻璃衬底
,
制备
