闵嘉华
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王斌
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梁小燕
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赵岳
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朱正辉
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胡思嫣
稀有金属材料与工程
在多孔Si上使用不同催化剂成功生长ZnO纳米结构.结果表明,Au作催化剂在Si衬底上得到末端呈六角形的ZnO纳米棒,Cu作催化剂在Si(100)和(111)分别上生长出带状和棒状纳米ZnO,Zn作催化剂在Si衬底上则获得ZnO纳米线.Zn催化制备的ZnO纳米线晶面间距为0.283nm,生长方向是[0110],具有结晶较好的六角纤锌矿晶体结构.比较了不同催化剂制备ZnO的光学性能,发现得到Zn催化制备的ZnO纳米线缺陷绿光峰最弱,因此Zn催化生长制备的纳米ZnO结构质量较好.空气中退火后,3种催化剂生长的纳米ZnO的缺陷发光峰位置不变,而强度变弱.
关键词:
纳米ZnO
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金属催化剂
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生长取向
,
光谱特性
张维广
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吕斌
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张利强
,
叶颖惠
,
叶志镇
材料科学与工程学报
利用脉冲激光沉积法在石英和玻璃衬底上制备了ZnCoO以及Zn（Co,Ga）O薄膜,分别研究了其结构形貌和电学、光学及磁学等性能。研究发现,Ga掺杂后ZnCoO薄膜的择优取向由（002）向（101）转变,并且在玻璃衬底的Zn（Co,Ga）O薄膜具有更为单一的（101）取向,我们分析认为,Ga的掺入是引起生长取向转变的重要因素。此外,相比于ZnCoO,Zn（Co,Ga）O薄膜的电学性能明显提高,光学带隙蓝移,同时具有较好的室温铁磁性。
关键词:
Co-Ga共掺
,
生长取向
,
光学性能
,
磁学性能
王华
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.05.020
采用Sol-Gel工艺, 在快速退火的工艺条件下制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜, 研究了退火温度及时间、薄膜厚度对Bi4Ti3O12薄膜的取向生长行为及其铁电性能、漏电流的影响, 探讨了Bi4Ti3O12薄膜取向生长的微观机制.结果表明: 退火温度显著影响薄膜的c轴取向生长, 其(00l)晶面的取向度F=(P-P0)/(1-P0)由550℃的0.081增加到850℃的0.827, 退火时间对其(00l)晶面的取向度也有较大影响; 经750℃以上温度退火处理的Bi4Ti3O12薄膜呈高度c轴取向, 对铁电性能有较明显的削弱作用; 薄膜的漏电流密度随退火温度升高而增大, 但薄膜的c轴取向生长有利于减缓漏电流密度的增长.
关键词:
铁电薄膜
,
Bi4Ti3O12
,
生长取向
,
电性能
徐亚新
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熊杰
,
夏钰东
,
张飞
,
薛炎
,
陶伯万
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12385
采用直流溅射法在Y2O3/YSZ/CeO2(YYC)缓冲层的织构NiW基带上,通过基片温度调制YBa2Cu3O7-δ (YBCO)外延薄膜生长.X射线衍射仪(XRD)表征显示,基片温度强烈地影响YBCO薄膜的外延生长:在较低的基片温度下薄膜趋于a轴取向生长,随基片温度升高薄膜逐渐变为纯c轴取向生长.由于a轴晶粒引起的大角度晶界会阻碍超导电流在a-b面内的传输,因此YBCO薄膜的微观结构和超导电性能随温度升高而得到改善,但是随着基片温度继续升高,基带的氧化程度加剧,YBCO与缓冲层间发生界面反应,从而导致薄膜质量衰退.本研究还计算了YBCO薄膜中的位错密度,并研究了位错密度与自场下YBCO薄膜临界电流密度(Jc)之间的关系.结果表明:YBCO薄膜在自场下的临界电流密度对螺旋位错密度比对刃型位错密度更加敏感,这主要是由YBCO薄膜的螺旋生长机制引起的.
关键词:
YBa2Cu3O7-δ(YBCO)
,
基片温度
,
生长取向
,
位错密度
