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多晶Si薄膜表面金催化Si纳米线生长

马蕾 , 郭延岭 , 娄建忠 , 彭英才

人工晶体学报

以Au膜作为催化剂和大晶粒多晶Si薄膜为衬底,利用固-液-固生长机制,制备出直径在30~ 100 nm和长度为几百微米的高密度Si纳米线.实验研究了退火温度、生长时间和N2流量对Si纳米线生长的影响.结果表明,随着退火温度的升高,生长时间的延长和N2流量的增加,Si纳米线的长度和密度都显著增加.对不同生长时间下获得的Si纳米线样品进行了X射线衍射测量,结果显示随着生长时间的延长,多晶Si薄膜和表面的Au膜成分都在减少.光致发光谱则显示出弱的蓝光发射和强的红光发射特性,前者应是由非晶SiOx壳层中的氧空位发光中心引起,后者则应归因于Si纳米线芯部与非晶SiOx壳层之间界面区域附近中的Si =O双键态或非桥键氧缺陷中心.

关键词: 多晶Si薄膜 , Si纳米线 , 退火温度 , 生长时间 , 光致发光

R22水平管满液蒸发汽化规律可视化研究

田华 , 马一太 , 代宝民

工程热物理学报

满液式蒸发是广泛应用在大中型制冷热泵系统的蒸发换热模式之一.通过可视化手段探索汽泡核化及生长规律进而揭示满液蒸发机理,是一条重要的研究手段.为了直接观测到水平管满液蒸发汽化规律,本文设计了可视化试验台.通过对满液式汽化现象的观测和分析发现,汽泡在加热壁面上的汽化核心分为稳定型和不稳定型;汽泡从在壁面上出现到脱离壁面的汽泡生长时间大约在4~5 ms之间;汽泡脱离直径大约在1.4~1.8 mm之间;同时发现,提高蒸发温度和热流密度均能促进汽化过程.

关键词: 满液蒸发 , 汽化规律 , 可视化 , 汽化核心 , 生长时间

铜箔表面化学气相沉积少层石墨烯

宋瑞利 , 刘平 , 张柯 , 刘新宽 , 陈小红 , 李伟 , 马凤仓 , 何代华

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2016.01.018

利用化学气相沉积法(CVD法),在金属基底上生长大面积、少层数和高质量的石墨烯是近年来研究的热点.本研究采用CVD法,在常压高温条件下,以氩气为载体、氢气为还原气体、乙烯为碳源,在铜箔表面生长石墨烯.通过扫描电子显微图(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和拉曼图谱(Raman)分析,发现铜箔表面质量和石墨烯的生长时间对石墨烯的层数和缺陷有较大影响.用20%的盐酸去除铜箔表面的保护膜和Cu2O等杂质,铜箔在1000℃下退火60min可以使铜箔晶粒尺寸增大以及改善铜箔表面的形貌.研究发现生长时间为60s和90s时,制备的石墨烯薄膜对称性良好且层数较少.其中,生长时间为90s时,拉曼表征石墨烯的ID/IG值为0.7,表明其缺陷比较少.

关键词: 石墨烯 , 铜箔 , 化学气相沉积法 , 盐酸 , 生长时间

以Cr/Cu为催化剂制备Cu/CNTs复合粉末的工艺研究?

付少利 , 李生娟 , 刘平 , 陈小红 , 刘新宽 , 李伟 , 马凤仓

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.01.034

采用化学气相沉淀法(CVD)制备了分布均匀的 Cu/CNTs 复合粉末,利用 SEM,TEM和 Raman 光谱分别对其形貌和结构进行表征.结果表明,采用10%(质量分数)Cr催化剂,混合气体(Ar/H2/C2 H4)比例为8∶24.5∶3,生长温度为800℃、生长时间为30 min 时,制备的碳纳米管管壁光滑洁净、管径粗细均匀、几乎没有缺陷,碳纳米管的形貌最佳.

关键词: Cu/CNTs复合粉末 , Cr/Cu催化剂 , 反应气体比例 , 生长时间 , 生长温度

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