李双明
,
耿振博
,
胡锐
,
刘毅
,
罗锡明
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2014.00400
对高熔点金属Nb,W,Ta,Mo及Ir电子束区熔熔区高度进行了稳定性分析,发现在区熔相同尺寸试样时,能够稳定熔区高度大小排序依次为Nb＞Mo＞W＞Ta＞Ir.计算获得了这5种金属的晶体生长角在8°～13°之间,发现生长角不为零对大尺寸试样熔区高度起主导作用,同时金属的实际晶体生长角与界面生长机制有关.当为粗糙界面生长机制时,生长角随区熔凝固速率增加变化不大;而为位错生长机制时,生长角随区熔凝固速率增加而减少;如为小面生长机制时,生长角在低速下会大幅度减小,并随凝固速率增加而增大.采用较大的凝固速率(约1 mm/min)有利于控制Ir和Mo晶体生长角变化和熔区高度,这一点与Mo区熔单晶生长实验结果基本吻合.
关键词:
高熔点金属
,
电子束区熔
,
生长角
,
界面生长机制
