王子梁
,
刘荣正
,
刘马林
,
常家兴
,
邵友林
,
刘兵
,
王永欣
复合材料学报
doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20151026.002
一般致密 SiC材料的制备需要极高的温度，而降低制备温度一直是 SiC 制备领域的重要研究方向。采用流化床化学气相沉积法，在球形二氧化锆陶瓷颗粒上制备了厚度为几十微米的 SiC 包覆层。通过对不同温度SiC包覆层的显微形貌及微观结构变化规律研究，给出了沉积效率变化规律，发现低温产物富硅，而高温产物富碳。对不同氩气含量的实验研究发现，氩气的加入可以促进沉积反应向富碳方向移动，从而可以在显著降低温度的条件下制备出致密 SiC包覆层。综合实验结果给出了流化床化学气相沉积方法在不同温度及氩气浓度条件下制备 SiC的物相分布图。
关键词:
SiC
,
流化床
,
化学气相沉积
,
甲基三氯硅烷
,
包覆层
