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偶联剂用量对聚酰亚胺杂化薄膜结构与性能的影响

刘立柱 , 高琳 , 宋玉侠 , 赵洪 , 雷清泉

功能材料

用不同用量硅烷偶联剂处理纳米Al2O3粉体,并借助超声波以一定方式将其均匀分散于聚酰胺酸溶液中,制备出不同偶联剂用量的PI/纳米Al2O3杂化薄膜,并对该杂化薄膜的断面形貌、聚集态结构、热稳定性、力学性能、电击穿场强进行表征测试分析.结果表明,偶联剂用量对PI杂化薄膜的聚集态结构影响较小,但对无机纳米粒子在PI基体中的分散状态有较大影响,当偶联剂AE3012的用量为无机粒子质量分数的4%时,该PI杂化薄膜的热稳定性、力学性能、电击穿场强均最高.

关键词: 聚酰亚胺 , 杂化薄膜 , 纳米Al2O3 , 电击穿场强

射频磁控反应溅射氧化硅薄膜微结构和电击穿场强研究

金桂 , 蒋纯志 , 邓海明

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2009.03.005

采用射频磁控反应溅射法在单晶硅片上制备了氧化硅(SiOx)薄膜,分析了薄膜的主要成分,研究了制备工艺对薄膜表面形貌和电击穿场强的影响.结果表明:薄膜的主要成分为氧化硅(SiOx);退火前后,薄膜的表面粗糙度由原来的1.058nm下降至0.785nm,峰与谷之间的高度差由原来的7.414nm降低至5.046nm;薄膜的电击穿场强随溅射功率的增加先增大后减小,通过800℃/100 s的快速热退火,在各种射频功率下制备的薄膜电击穿场强都有明显升高.薄膜的绝缘性能显著增强.

关键词: 射频磁控反应溅射 , 表面形貌 , 电击穿场强

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