郭鹏
,
蔡永挚
,
刘春明
,
吕银祥
,
徐伟
,
潘星龙
,
华中一
功能材料
报道一种具有可逆电双稳特性的有机薄膜存储器件.器件采用三明治夹层结构:Ag/DBCN/Al,DBCN为有机分子材料的简称.这种薄膜器件可以通过改变外加电场的大小来控制所处的状态,表现出高电压区(＞6V)为高阻态(＞106Ω),低电压区(1～2V)为低阻态(～103Ω)的特性,外电场消失时其状态能够长时间保持稳定(超过3个月),还可以用小电压脉冲信号(＜0.5V)来读取其状态信息.此外还发现该器件具有良好的耐热稳定性.
关键词:
有机分子材料
,
电双稳
,
可电写擦、可电读出分子器件
莫晓亮
,
杨剑
,
姚彦
,
徐华华
,
楼成飞
,
王大伟
,
卢嘉
,
陈国荣
功能材料
提出了一种新的制备有机金属配合物纳米线的方法,即饱和蒸气反应法,并解释了它的生长机理.用这种方法制备的Ag(TCNQ)[TCNQ,tetracyanoquinodimethane]纳米线(棒)基本垂直于基板.截面近似呈方形,边长＜100nm,长度(高度)可控,生长温度低(≤120℃),因而在实际应用过程中容易与其它工艺兼容.在STM针尖和导电AFM针尖电场作用下这种纳米线(棒)具有电双稳特性,预期在纳米电子学方面有广泛的应用前景.
关键词:
纳米线
,
Ag(TCNQ)
,
电双稳
谢亨博
,
蒋益明
,
郭峰
,
万星拱
,
李劲
功能材料
采用真空蒸发的方法将有机电双稳材料PAR制成Al/PAR/Al夹层结构.详细研究了薄膜厚度、电极面积、退火处理和自然放置等因素对薄膜电性能的影响.结果表明,采用适当的工艺,能够获得性质均匀、电特性良好的电双稳薄膜(转变电压的分散性小于10%,延迟时间基本小于5μs,转变时间在20ns左右).Al/PAR/Al结构可以简单等效为电阻与电容的并联,而退火与自然放置将使薄膜结构趋于稳定.
关键词:
PAR薄膜
,
电双稳
,
制备工艺
蒋益明
,
万星拱
,
郭峰
,
谢亨博
,
刘平
,
李劲
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.015
发现了在室温下具有电双稳特性的聚合物材料聚对萘二甲酸乙二酯(PEN).通过真空蒸发方法制备的PEN薄膜,其表面晶粒尺寸小于100nm,粗糙度也为纳米量级,而且具有较高的热稳定性.在3.5V电压作用下,PEN薄膜可从高阻状态跃变到低阻状态,跃迁时间小于20ns.该材料有可能用于大容量存储器的制作.
关键词:
PEN薄膜
,
真空蒸发
,
电双稳
