安博
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王六定
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陈国栋
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曹得财
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丁富才
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梁锦奎
功能材料
基于密度泛函理论(DFT)的DMol3软件包,研究了(9,0)型碳纳米管(CNT)顶端掺杂B/N/Si等元素对其几何结构及电子结构的影响.结果表明,掺杂原子对非掺杂区几何结构影响微弱;加电场后,各种掺杂CNT顶端局域态密度(LDOS)峰位向价带移动;B/N/Si掺杂不仅引起CNT费米能级(Ef)处LDOS增大,而且最低空轨道与最高占有轨道的差值(LUMO-HOMO)降低.由此可预期CNT顶端掺B/N/Si均有利于场致电子发射,且改善幅度依次增强.
关键词:
碳纳米管
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掺杂
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第一性原理
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电子场发射
张秀霞
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雷崇民
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王晓娥
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盛洪江
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魏舒怡
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魏杰
功能材料
研究了低成本大面积丝网印刷在玻璃衬底上均匀的纳米碳化硅(nano-SiC)薄膜的场致发射特性.提出了机械分散团聚的nano-SiC的方法,实验了适合导电玻璃衬底上制备nano-SiC薄膜的浆料配方,摸索导电玻璃衬底上nano-SiC薄膜的烧结工艺,研究了不同nano-SiC含量的薄膜的场发射特性,得到了最佳场致发射特性的配方比例.对样品进行微观分析和表征.具有稳定均匀场致发射性能的nano-SiC薄膜可作为显示器器件的阴极材料.
关键词:
纳米碳化硅薄膜
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电子场发射
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丝网印刷
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后处理过程
施易军
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王六定
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陈景东
人工晶体学报
利用镜像电荷模型计算了处于外加电场中开口碳纳米管顶端的电势和场强,得到电子发射场增强因子为γ=2(2h/ρ+1)/[ln16(1+16R2/ρ2)]-1.结果表明:外加电场与纳米管的几何参数会影响其顶端的局域电场,从而影响电子场发射;γ与长厚比h/ρ和径厚比R/ρ有关.特别,当管长h一定时,管壁厚度ρ比管的有效半径R对γ的影响更加显著.
关键词:
开口碳纳米管
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电子场发射
,
场增强因子
