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二次电子成分衬度成像方法在异质结半导体材料和器件的微结构研究中的应用

刘安生 , 邵贝羚 , 安生 , 王敬 , 刘峥 , 徐军 , 王瑞忠 , 钱佩信

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.06.001

阐述了高分辨二次电子成分衬度像的成像原理、成像条件和实验方法, 介绍了一种新的试样制备方法, 讨论了各种制样方法的特点. 以多层P+-Si1-xGex/p-Si异质结内光发射红外探测器为例, 介绍了二次电子成分衬度像观察技术在异质结半导体材料和器件微结构研究中的应用. 将这种技术与通常的透射电子衍射衬度方法进行了比较, 讨论了它在异质结半导体材料和器件中的应用前景.

关键词: 二次电子成分衬度像 , 异质结半导体材料和器件 , 电子显微术 , 微结构

纯铁离子渗氮扩散层中a″→γ′氮化物的转变

黑祖昆 , 刘志权 , 许晓磊 , 李斗星 , 关若男

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2001.07.004

利用透射电子显微镜对纯铁离子渗氮扩散层中的γ′-Fe4N氮化物进行微观分析时发现,组织中存在两种类型的γ′ Fe4N,通过其内部是否含有高密度的单方向平行层错片可以将二者区分开来.实验中观察到了直接生长在α″-Fe16N2上的γ′ Fe4N氮化物,证实组织中存在α″→γ′氮化物的转变.通过此氮化物转变生成的γ′ Fe4N,其内部含有单方向排列的平行层错片根据α″-Fe16N2和γ′-Fe4N的晶体结构讨论了氮化物转变的结构条件,转变过程中二者保持如下的取向关系:(111)γ′∥(110)α″[110]γ′∥[111]α″

关键词: 离子渗氮 , α″→γ′氮化物转变 , 电子显微术

电子束辐照诱导Al_2Ni_3相的析出(英文)

柳得橹 , H.Hashimoto

金属学报

用400kV透射电镜观察由N9R及2H马氏体组成的淬火Cu－11．2A1-2．9Ni合金样品时，发现大量弥散相因电子束辐照而析出电子衍射分析证实析出相为Al2Ni3.暗场像体视测量与高分辨显微术研究表明，辐照诱导析出不仅是表面反应．Al2Ni3粒子挥优在晶体缺陷及马氏体界面处析出．延长辐照时间，拆出相长大并粗化．

关键词: Cu-Al-Ni合金 , electron microscopy , irradiation effects , precipitation of Al_2Ni_3 , martensitic structure

纯铁离子渗氮扩散层中a″→γ′氮化物的转变

黑祖昆 , 刘志权 , 许晓磊 , 李斗星 , 关若男

金属学报

利用透射电子显微镜对纯铁离子渗氮扩散层中的γ′-Fe4N氮化物进行微观分析时发现,组织中存在两种类型的γ′ Fe4N,通过其内部是否含有高密度的单方向平行层错片可以将二者区分开来.实验中观察到了直接生长在α″-Fe16N2上的γ′ Fe4N氮化物,证实组织中存在α″→γ′氮化物的转变.通过此氮化物转变生成的γ′ Fe4N,其内部含有单方向排列的平行层错片根据α″-Fe16N2和γ′-Fe4N的晶体结构讨论了氮化物转变的结构条件,转变过程中二者保持如下的取向关系:(111)γ′∥(110)α″[110]γ′∥[111]α″.

关键词: 离子渗氮 , null , null

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