吴克
,
余增强
,
张解东
,
王守证
,
聂瑞娟
,
王福仁
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.03.003
制备高质量的MgB2薄膜是实现MgB2超导电子器件应用的前提和基础.我们用电子束蒸发B膜和Mg/B多层膜为前驱然后后退火的方法,分别在高温区(～900℃)和中温区(～750℃)成功获得了MgB2超导薄膜.改变退火的Ar气压条件,采用B膜前驱退火的样品Tc可达到38K以上,转变宽度0.3K.Mg/B多层膜的结果尽管Tc稍低(Tc～35K),但薄膜表面更加均匀,且避免了高温下Mg蒸汽污染的问题.对于两种前驱退火中观察到的完全不同的退火气压影响,我们认为是与其各自的超导成相过程相联系的,在此基础上我们对退火气压效应给出了自己的分析和解释,为今后进一步细致研究退火过程中的薄膜生长机制提供了参考.
关键词:
MgB2薄膜
,
电子束蒸发
,
外退火
,
超导成相
刘高斌
,
王新强
,
冯庆
,
何阿玲
,
马勇
,
赵兴强
,
杨晓红
功能材料
利用烧结的CuAlO2靶材运用电子束蒸发法沉积了p型CuAlO2薄膜样品.在空气中1000℃退火之后,薄膜样品出现了(006)定向结晶,且铜铝原子比满足化学计量.CuAlO2薄膜呈现了很好的透明性,500nm厚的薄膜样品在可见光范围透射率超过了80%.利用光谱分析,CuAlO2薄膜的光学禁带约为3.80eV,其平均折射率约为1.54,同其它方法制备的该薄膜的性能相近.薄膜样品室温电导率约为0.08S/cm.
关键词:
透明导电膜
,
p型
,
CuAlO2
,
电子束蒸发
邹凯
,
李蓉萍
稀土
doi:10.16533/J.CNKI.15-1099/TF.201503007
采用化学水浴法制备了结构为CdS/CdS的薄膜,并结合电子束真空蒸发法,在两层CdS之间沉积一层Dy单质制备了结构为CdS/Dy/CdS的Dy掺杂薄膜.XRD和SEM测试表明,未掺杂的薄膜为沿(111)晶面择优生长的立方相闪锌矿结构,但是含有Dy掺杂层的CdS薄膜则为立方相和六方相的混合结构,并且掺Dy后CdS的晶粒尺寸和晶格常数变大.XPS分析表明,两种样品均富Cd,掺Dy有助于降低薄膜中O和C的含量,进而抑制薄膜中氧化物的形成;未掺杂时薄膜表面和内部Cd、S的原子比分别为1∶0.63和1∶0.71,掺Dy后分别提高到1∶0.81和1∶0.83,更接近CdS的化学计量比,而且组分更加均匀.
关键词:
掺Dy-CdS
,
化学水浴法
,
电子束蒸发
,
结构
,
XPS
郭战营
,
许安涛
,
张庆丰
,
郜小勇
人工晶体学报
本文侧重研究利用电子束蒸发技术制备ITO透明导电薄膜过程中氧分压、沉积速率对其性能的影响.研究发现,随着氧分压的增大,样品透光性和导电性均呈现先增大后减小的趋势;通过计算得出禁带宽度随着氧分压的增大也呈现先增大后减小的趋势.对沉积速率对样品性能的影响进行了研究,结果表明沉积速率降低有利于样品性能的改善.
关键词:
ITO薄膜
,
电子束蒸发
,
性能
,
禁带宽度
邓书康
,
董国俊
,
杨晓坤
,
刘虹霞
,
侯德东
,
李明
人工晶体学报
采用电子束蒸发技术在衬底温度为180℃条件下生长具有Ge覆盖层的非晶Si薄膜,并于500℃、600℃、700℃真空退火5h.采用Raman散射、X射线衍射(XRD)、全自动数字式显微镜等对所制备薄膜的晶化特性进行研究.结果表明,Ge覆盖层具有诱导非晶Si薄膜晶化的作用,且随着退火温度的升高a-Si薄膜晶化越显著.具有Ge覆盖层非晶薄膜经500℃退火5h沿Si(400)方向开始晶化,对应晶粒尺寸约为4.9 nm.将退火温度升高到700℃时,非晶硅薄膜几乎全部晶化,晶化多晶Si薄膜在Si(400)方向表现出很强的择优取向特性,晶粒尺寸高达23.3μm.与相同条件下制备的无Ge覆盖层的非晶Si薄膜相比,晶化温度降低了300℃.
关键词:
多晶硅薄膜
,
电子束蒸发
,
非晶硅
,
Ge诱导晶化
郝天亮
,
陈钢进
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.22.019
Si O 2驻极体具有优异的电荷储存能力，其具有器件制作工艺可与微机械加工技术兼容、适合集成化生产等优点，一直是微器件和传感器领域研究的热点。采用电晕充电和表面电位测试等技术研究了等离子增强化学气相沉积(PECVD)和电子束蒸发两种方法制备的SiO2薄膜的驻极体特性，发现 PECVD方法制备的Si O 2薄膜的驻极体性能明显优于电子束蒸发制备的Si O 2薄膜。结合扫描探针显微镜、X射线衍射及激光拉曼光谱等技术对两种薄膜的结构分析表明，其性能差异与薄膜形貌和微观结构密切相关。PECVD方法制备的非晶SiO2薄膜由纳米级非晶颗粒组成，颗粒间存在大量无序度较高的界面，由此产生的“界面陷阱”是导致 PECVD 制备的 SiO2薄膜具有更佳电荷存储稳定性的根本原因。
关键词:
驻极体
,
SiO2 薄膜
,
微观结构
,
PECVD
,
电子束蒸发
马晓霞
,
范红
,
李守生
,
李玉芹
,
杜晋峰
黄金
doi:10.11792/hj20151102
采用扫描电镜分析了蒸发金熔化凝固后表层以及蒸镀后在芯片表面形成的黑色颗粒的形貌和成分. 试验结果表明:该黑色颗粒成分主要为金,是其蒸发金和芯片表层与碳、氧等非金属杂质相混合,而非长期以来认为的石墨(碳)颗粒;分析确定了非金属杂质的来源,并从熔炼以及拉丝工艺环节提出了改进措施.
关键词:
蒸发金
,
芯片表面
,
黑色颗粒
,
电子束蒸发
,
铸造
,
塑性变形
刘慧舟
,
杨坚
,
张华
,
古宏伟
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.05.017
采用电子束蒸发和磁控溅射两种工艺在移动的Ni-5W合金基带上制备了Y2O3隔离层,研究了镀膜过程中基带移动速度对隔离层性能的影响,同时详细比较了两种镀膜方法.利用扫描电镜、X射线衍射等手段对Y2O3隔离层进行了分析.结果表明:通过严格控制工艺条件,两种方法都能在移动Ni-5W合金基带上制备高立方织构、表面致密光滑的Y2O3隔离层.研究发现,电子束蒸发工艺中,理想的基带移动速度是0.4～1.0 mm·s-1;磁控溅射工艺中,适宜的基带移动速度应该是0.5～2.0mm·s-1.
关键词:
涂层导体
,
连续沉积(隔离层)
,
Y2O3
,
电子束蒸发
,
溅射
