刘艳美
,
宋学萍
,
韩家骅
功能材料
在200～500℃的衬底温度范围,用电子束蒸镀法制备了具有室温铁磁性的ZnCoMnO薄膜.400℃制备的薄膜饱和磁化强度和剩磁最大.X射线分析表明,除200℃制备的薄膜结晶和取向较差外,其它温度的薄膜都沿C轴高度取向,(002)面间距和衍射峰半高宽(FWHM)接近相等.讨论了衬底温度对薄膜晶体结构和磁性的影响.
关键词:
ZnCoMnO薄膜
,
室温磁性
,
衬底温度
,
电子束蒸镀
李同彩
,
郭宝刚
,
李同洪
,
温才
,
陈伟
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.13.007
利用电子束蒸镀技术在石英玻璃和单晶 Si〈100〉上制备了纳米 TiO2薄膜,研究了衬底温度和退火温度对其结构、相组成和亲水性能的影响。结果表明,衬底温度为40~240℃时,石英玻璃上制备的薄膜为无定型TiO2,单晶 Si〈100〉上制备的薄膜为弱结晶性的金红石TiO2,两类薄膜的亲水性均很差。退火温度显著影响薄膜的相组成及亲水性能。石英玻璃上不同衬底温度制备的 TiO2薄膜经550,650℃退火后均转变为锐钛矿 TiO2,具有很好的亲水性能。单晶 Si〈100〉上不同衬底温度制备的 TiO2薄膜经550~950℃退火后,均由金红石和锐钛矿 TiO2混晶组成,且随退火温度升高,薄膜中锐钛矿 TiO2含量逐渐增加；随退火温度升高,衬底温度为40℃时制备的 TiO2薄膜的亲水性能逐渐降低,而衬底温度为240℃时制备的TiO2薄膜的亲水性能逐渐增强。
关键词:
TiO2
,
电子束蒸镀
,
结构
,
相组成
,
亲水性
骆英民
,
马剑刚
,
徐海阳
,
刘益春
,
钟殿强
,
齐秀英
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.018
采用电子束蒸镀方法在Si(100)衬底上沉积了ZnO:Al(ZAO)薄膜.在氧气气氛下对ZnO:Al薄膜进行了退火处理,退火温度的范围为400～800℃.X射线衍射(XRD)图样表明所制备的ZnO:Al薄膜具有六方结构,为c轴(002)择优取向的多晶薄膜.用Van der Pauw法测量了ZAO薄膜的电学特性,结果显示其电导率在500℃达到最大值.测量了ZAO薄膜的室温微区光致发光和变温发光光谱,观测到了ZnO自由激子、束缚在中性施主中心(D0)上的束缚激子以及束缚在离化施主中心(D+0)上的束缚激子发射.
关键词:
ZnO:Al薄膜
,
电子束蒸镀
,
退火
,
Van der Pauw法
,
光致发光谱
王星星
,
张福勤
,
周俊
,
郑吉祥
,
黎炳前
,
刘怡
中国有色金属学报
封装石英管真空熔炼合成CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGS)块体,再采用电子束蒸镀此块体,制备用于太阳电池吸收层的CIGS薄膜,然后对薄膜进行不同温度的真空退火处理.分别采用XRD、EDS、SEM及光谱分析等方法,研究CIGS块体和退火薄膜的表面形貌、晶体结构、成分或者光电性能.结果表明:在1200℃、保温2h后,采用真空熔炼获得结晶性能较好、单一黄铜矿结构的CuIn0.7Ga0.3Se2块体.随着退火温度的升高,薄膜中In-Se杂质相分解,从而获得单一相的CIGS薄膜;并且颗粒不断长大,达到1.0～3.5 μm;成分和光学禁带不断得到优化.600℃退火薄膜是比较符合理想太阳电池要求的吸收层材料.
关键词:
太阳电池
,
CuIn07Ga0.3Se2
,
真空熔炼
,
电子束蒸镀
,
退火处理
