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a-Si∶H/a-SiC∶H 多层薄膜的光、电特性研究?

蒋冰 , 丁宁 , 陈乙豪 , 马蕾

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.10.028

采用射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,以SiH4、CH4和 H2为反应气体,在单晶硅和石英衬底上制备a-Si∶H/a-SiC∶H 多层薄膜。利用透射电子显微镜(TEM)对样品的微结构进行了表征,同时对其电子输运性质和光吸收特性进行了实验研究。结果表明,本实验条件下制备的多层薄膜样品为非晶态多层薄膜结构,并且样品具有良好的周期性结构和陡峭的界面特性。室温条件下,样品在垂直方向上呈现出多势垒顺序共振隧穿特性。由于量子限制效应,当a-Si∶H 势阱层厚度<8 nm,随着势阱层厚度减小,样品的光学带隙增大,光吸收系数减小。

关键词: PECVD , 多层薄膜 , 微结构特征 , 电子输运性质 , 光吸收特性

液态金属电子输运性质的理论研究

王强 , 李言祥

材料导报

液体的许多重要物理性质及结构稳定性都直接或间接与价电子状态有关,电子输运性质的研究因较直接揭示液体中价电子的变化而倍受重视.主要介绍液态金属电阻率和热电势的理论研究现状,分析了获得其中关键参数熔体结构因子及原子间作用势的途径.

关键词: 液态金属 , 电子输运性质 , 液体结构

吸附缺陷对armchair型石墨烯纳米条带输运性质的影响

刘春梅 , 肖贤波 , 刘念华

人工晶体学报

本文基于第一性原理研究了单个氢原子吸附缺陷对armchair型石墨烯纳米条带电子输运性质的影响.研究发现,吸附缺陷使armchair型石墨烯纳米条带在费米面附近的导电性有所降低,但透射能隙依然存在.缺陷对透射抑制的强弱与其吸附位置有关.在完整石墨烯纳米条带的布洛赫波函数分布几率较大处引入缺陷对电子输运的阻碍作用较大.对于布洛赫波函数分布相同的情况,吸附位置越靠近石墨烯纳米条带中心,则对电子输运的阻碍作用越大.

关键词: armchair型石墨烯纳米条带 , 吸附缺陷 , 电子输运性质

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