易俊
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陈鹏
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马向阳
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杨德仁
材料科学与工程学报
通过霍尔效应测量、二次离子质谱等手段研究了n型硼-磷补偿直拉单晶硅的电子迁移率与掺杂浓度的关系.通过比较迁移率的实验测量值和由Klaassen迁移率模型得到的计算值,发现Klaassen模型适用于掺杂浓度在1018 cm-3数量级的补偿单晶硅电子迁移率的计算,但对掺杂浓度在1017cm-3数量级的补偿单晶硅而言则明显高估了电子迁移率.分析认为这是由于该模型未充分考虑低掺杂浓度情形下自由载流子对电离杂质的屏蔽作用由于杂质补偿受到的削弱效应.根据实验结果,修正了Klaassen模型,使之在低掺杂浓度的情况下获得的电子迁移率计算值也与实验值吻合得相当好.
关键词:
电子迁移率
,
补偿
,
硅
徐维
材料开发与应用
doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2010.03.014
在不同厚度条件下(50～300nm),运用空间电荷限制电流法,对4,7-diphyenyl-1,10-phenanthroline(BPhen)的电子迁移率进行了测量.当厚度处在体性质占有优势的情况下,迁移率的数值与运用飞跃时间法所测得的数值非常吻合.对于有机电致发光器件的典型厚度,Bphen的电子迁移率为2.8×10-4cm2/Vs,在厚度为50nm时小于3.4×10-4cm2/V s.300 nm时,电场强度为0.3mV/cm.较低的迁移率是由界面陷阱状态造成的.
关键词:
空间电荷限制电流
,
电子迁移率
,
有机电致发光器件
