韦志仁
,
强勇
,
彭翔宇
,
高平
,
董国义
人工晶体学报
采用气相反应制备了ZnO和ZnO∶Co微晶,并通过热释光研究了材料中的电子陷阱能级(施主能级),采用微波介电谱研究了材料的光生电子瞬态过程.发现纯ZnO热释光谱有两个峰,分别为-183 ℃和-127 ℃,说明存在两个电子陷阱能级;而ZnO∶Co中热释光信号很弱,只有纯ZnO的十分之一.微波介电谱研究表明,由于电子陷阱对导带电子的驰豫作用,纯ZnO材料导带光电子的衰减为一级指数过程,寿命为802 ns.ZnO∶Co微晶体的最大微波介电谱强度低于纯ZnO晶体的五分之一,电子陷阱密度较小,其光生电子快速衰减,过程仅为10～20 ns.结果说明Co掺杂具有明显的抑制电子陷阱能级生成的作用.
关键词:
ZnO
,
电子陷阱
,
掺杂
,
光生电子
张荣香
,
赵晓辉
,
赖伟东
,
代秀红
,
张继县
,
李晓苇
人工晶体学报
利用微波吸收介电谱检测技术测得了不同染料吸附量条件下立方体氯化银微晶的光电子衰减曲线,发现随着染料吸附量的增多,光电子的衰减速率变快,且不是一个单凋变化过程.光电子衰减的微观动力学分析表明,染料吸附存在着聚集体吸附和单分子态吸附两种情形,聚集体吸附使得微晶中的填隙银离子增多,从而增加了微晶外部的深电子陷阱,使光电子衰减变快;染料单分子态的吸附起修饰微晶表面能级的作用,从而减少了微晶外部的深电子陷阱,使光电子衰减变慢.
关键词:
电子陷阱
,
染料吸附
,
氯化银微晶
,
光电子
,
结构
邓冬梅
,
吴春瑜
,
王金延
,
文正
,
郝一龙
,
王阳元
稀有金属材料与工程
通过对室温下的本征氮化镓材料进行不同波长(360nm～377nm)的光照,分析了本征氮化镓中的持续光电导及其复合机制.实验的结果证明了两种持续光电导的特性:一种是快速的复合,而且分析表明关灯后这种复合机制导致的持续光电流下降幅度随着波长的增加而增加;另一种是速度较慢的复合,它的电流衰减幅度几乎不受波长的影响.基于这些现象,提出了一个可能的物理模型,认为第一种机制是由于导带电子被电子陷阱俘获而引起的,第二种是由于导带电子与空穴陷阱俘获的空穴之间的复合而造成的.
关键词:
空穴陷阱
,
电子陷阱
,
光电导
,
复合
王乐
,
张亚军
,
祖帅
,
钟传杰
功能材料
介电常数分别为2.6的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）及介电常数为16的偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物（P（VDF-TrFE））两种不同的有机绝缘材料,通过溶液旋涂的方法在P型硅衬底上制备了不同结构的复合栅介质膜并测试了它们的高频C-V特性及漏电特性。实验结果表明Si-PMMA-P（VDF-TrFE）-Ag结构绝缘膜上单位面积电容达到了35nF/cm2,40V电压下漏电流随着扫描次数的增加逐渐由7.29×10-7 A/cm2降低至3.44×10-7 A/cm2。而Si-P（VDF-TrFE）-PM-MA-Ag结构栅介质膜测得的单位面积电容仅为15nF/cm2,在相同电压下的单位面积漏电流为1.93×10-8 A/cm2。在此基础上分析了电子陷阱以及电场强度对双层栅绝缘膜C-V、I-V特性的影响。
关键词:
OTFT
,
复合绝缘膜
,
电子陷阱
,
漏电机理
李晓苇
,
李莉
,
张荣香
,
张继县
,
江晓利
,
杨少鹏
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.035
利用微波吸收相敏检测技术测量了纯氯化银微晶的光电子衰减曲线,再结合光电子衰减动力学方程,确定了微晶表面和内部的电子陷阱参数,并以此为基础分析了染料的吸附对微晶表面结构的影响.发现吸附不仅会在微晶表面产生填隙银离子同时会对表面陷阱产生修饰作用,且随着染料吸附量的减少,产生银离子的作用退化并最终消失,而修饰作用凸现并逐渐增强,直至填隙银离子不再产生,修饰作用也达到了最大,随后修饰作用将随染料吸附量的继续减少而变弱.
关键词:
电子陷阱
,
染料吸附
,
卤化银微晶
,
表面结构
,
表面修饰
李晓苇
,
张荣香
,
杨少鹏
,
人工晶体学报
本工作利用微波吸收介电谱技术检测了硫增感立方体氯化银微晶光电子的衰减时间谱,并根据实验结果建立了硫增感氯化银微晶的动力学模型,通过计算机求解由此模型得到的光电子衰减动力学方程,得到了不同增感时间下电子陷阱的浓度和深度,发现随增感时间的增加,电子陷阱的深度保持不变(0.201eV),而陷阱的浓度发生了变化,即在增感时间为75 min时电子陷阱的浓度为7.5×10-6;在增感时间为60 min时电子陷阱的浓度为3×10-6,这些结论对于其它晶体特性的研究具有参考价值.
关键词:
衰减动力学
,
氯化银微晶
,
光电子
,
电子陷阱
李涛
,
赵广军
,
何晓明
,
徐军
,
潘守夔
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.05.007
YAlO3(YAP)晶体具有优良的物理和化学性能,在许多方面都有广泛的应用前景.我们在对闪烁晶体Ce∶YAP的研究过程中,发现了YAP晶体的变色现象.本文利用晶体透过谱对其颜色的变化进行了研究.不同的退火气氛及不同的掺杂成份对晶体颜色有较大影响,H2气氛退火或掺杂Ce元素使晶体颜色变浅,而在空气中退火或掺杂Yb元素则使晶体颜色加深.针对这一变色现象,我们认为是在晶体生长过程由于电荷补偿的需要而产生的O-心的吸收作用导致的.不同的O-心浓度其吸收作用不同,从而使晶体在400nm附近的透过率发生变化.采用这一模型可以对晶体颜色的变化及不同退火条件和掺杂元素的影响作出合理的解释.
关键词:
YAP晶体
,
透过谱
,
退火
,
掺杂
,
氧空位
,
电子陷阱
李晓苇
,
刘荣鹃
,
江晓利
,
陆晓东
,
赖伟东
,
杨少鹏
,
傅广生
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.020
利用微波吸收相敏检测技术并结合短脉冲激光曝光,测量了硫增感条件下AgBrCl立方体微晶感光材料的光电子时间衰减谱.分析了光电子一级衰减区域与增感温度的关系,确定了硫增感的陷阱效应对光电子衰减时间和光电子不同一级衰减区域的影响,并获得了增感过程中生成浅电子陷阱效果的最佳增感条件.
关键词:
卤化银微晶
,
硫增感
,
光电子
,
电子陷阱
,
光学微波双共振技术
邓冬梅
,
吴春瑜
,
王金延
,
文正
,
郝一龙
,
王阳元
稀有金属材料与工程
通过对室温下的本征氮化镓材料进行不同波长(360nm～377nm)的光照,分析了本征氮化镓中的持续光电导及其复合机制.实验的结果证明了两种持续光电导的特性:一种是快速的复合,而且分析表明关灯后这种复合机制导致的持续光电流下降幅度随着波长的增加而增加;另一种是速度较慢的复合,它的电流衰减幅度几乎不受波长的影响.基于这些现象,提出了一个可能的物理模型,认为第一种机制是由于导带电子被电子陷阱俘获而引起的,第二种是由于导带电子与空穴陷阱俘获的空穴之间的复合而造成的.
关键词:
空穴陷阱
,
电子陷阱
,
光电导
,
复合
徐超
,
卢佃清
,
刘学东
材料热处理学报
采用高温固相法制备了Sr0.96Al2O4∶Eu0.02,Dy0.02,B0.08长余辉发光材料.利用XRD衍射仪、荧光分光光度计和亮度计分别研究两步退火工艺中初次退火温度对晶体结构、激发光谱、发射光谱和余辉衰减特性的影响.结果表明,随着样品初次退火温度的升高,Dysr陷阱中的电子浓度出现一峰值,而Vo陷阱中的电子浓度逐渐减小.初次退火为1150℃×2h,第二次退火为1350℃×6 h的样品具有最大的Dysr陷阱中的电子浓度,且具有最大的时间衰减常数,这使该样品具有最好的长余辉特性.初次退火温度太高时,出现了AlEuO3晶相,Dysr陷阱中的电子浓度迅速降低.
关键词:
两步退火工艺
,
铝酸盐
,
长余辉发光材料
,
电子陷阱
