王守坤
,
袁剑峰
,
郭会斌
,
郭总杰
,
李升玄
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153006.0930
本文对 TFT 在栅极绝缘层和非晶硅膜层沉积过程中，透明电极 ITO 成分对膜层的污染和 TFT 电学性质的影响进行分析研究。通过二次离子质谱分析和电学测试设备对样品进行分析。ITO 成分会对 PECVD 设备、栅极绝缘层和非晶硅膜层产生污染，并会影响 TFT 的电学特性。建议采用独立的 PECVD 设备完成 ITO 膜层上面的栅极绝缘层和非晶硅膜层的沉积，并且对设备进行周期性清洗，可降低 ITO 成分的污染和提高产品的电学性能。
关键词:
薄膜晶体管
,
化学气相沉积
,
栅极绝缘层
,
有源层
,
非晶硅膜
,
氧化铟锡
,
电学特性
王振军
,
李克智
,
王闯
材料导报
综述了碳纤维增强水泥基复合材料(CFRC)电学特性的研究进展,探讨了CFRC的电磁屏蔽性能和导电性能研究中的相关问题,阐述了原材料、配合比和表面处理对CFRC电磁屏蔽性能的影响,明确了碳纤维分散性和试验方法对CFRC导电性能的影响规律以及CFRC在工程结构中的应用状况,展望了CFRC的发展方向,指出碳纤维分散性、测试方法、温度和应力等多因素条件是CFRC电学特性将来的研究重点.
关键词:
碳纤维增强水泥基复合材料(CFRC)
,
电学特性
,
电磁屏蔽
,
导电性能
范平
,
易葵
,
邵建达
,
齐红基
,
范正修
中国有色金属学报
采用离子束溅射沉积了不同厚度的Co膜和Cu膜,利用四电极法测量了薄膜的电阻率,从而得到了Co膜和Cu膜的电导率随薄膜厚度的变化关系. 实验结果表明,Co膜和Cu膜的电学特性都具有明显的尺寸效应. 比较了同时考虑表面散射和晶界散射的电导理论得到的电导率公式与实验结果,不同薄膜厚度电导率的理论结果与实验结果符合较好. 提出了厚度作为金属薄膜生长从不连续膜进入连续膜的一个特征判据, 并利用原子力显微镜(AFM)观测了膜厚在特征厚度附近的Co膜和Cu膜的表面形貌.
关键词:
Co薄膜
,
Cu薄膜
,
金属材料
,
电学特性
才玺坤
,
原子健
,
朱夏明
,
张兵坡
,
邱东江
,
吴惠桢
人工晶体学报
采用射频磁控溅射法生长氧化铟薄膜,研究了溅射气压和溅射气体对氧化铟薄膜结构及光电特性的影响.X射线衍射结果表明制得的薄膜为立方结构的多晶体,随着溅射气压的升高,薄膜晶粒尺寸变大.1 Pa下沉积的氧化铟薄膜具有最大的迁移率和最小的载流子浓度,分别为15.2 cm2/V·s和1.19×1019cm-3.用O2溅射的氧化铟薄膜载流子浓度降至4.39×1013cm-3,在红外区(1.5～5.5μm)的平均透射率为85%,高于Ar溅射的薄膜,这可能是由于O2的加入减少了氧空位,降低了载流子浓度,使得自由载流子对红外光的吸收减弱.
关键词:
In2O3
,
磁控溅射
,
溅射气压
,
电学特性
,
氧空位
贾影
,
李健
,
闫君
功能材料
用质量比为1％∶0.2％(质量分数)的Sn、S混合粉末在玻璃衬底上热蒸发沉积SnS薄膜,氮气保护下对薄膜进行350℃、40min热处理后,得到简单正交晶系SnS多晶薄膜,薄膜的电阻率为103 Ω·cm,选择2％和4％(质量分数)的Zn掺杂来改善SnS薄膜的导电性.研究表明,SnS∶Zn薄膜最有效的热处理条件为300℃、40min,掺Zn后薄膜的物相结构转为简单正交和面心正交晶系混合相,SnS∶Zn薄膜(2％和4％(质量分数))的电阻率在1.8528 × 10-3～4.944×10-4 Ω·cm之间,导电类型为N型.薄膜中Sn和S分别呈+2和-2价,Zn显示+2价,以间隙和替位两种状态存在于SnS中,对薄膜导电性起改善作用的是间隙态的Zn离子.
关键词:
热蒸发
,
热处理
,
SnS薄膜
,
Zn掺杂
,
电学特性
田书凤
,
彭英才
,
范志东
,
张弘
材料导报
随着Si-MOS集成电路的迅速发展,高k值栅介质材料将成为下一代MOS器件绝缘栅最有希望的候选材料.介绍了近年来HfO2栅介质材料在制备方法和电学特性方面的研究进展,提出了改善其电学特性的主要途径,其中包括非金属元素掺杂、构建组分渐变界面、设计准二元合金系统、制备堆垛积层结构、抑制界面层生长和选择适宜的电极材料等.
关键词:
高介电常数
,
HfO2栅介质
,
等效SiO2介电层厚度
,
电学特性
丁瑞钦
,
陈毅湛
,
朱慧群
,
黎扬钢
,
丁晓贵
,
杨柳
,
黄鑫钿
,
齐德备
,
谭军
人工晶体学报
本文报道溅射工艺、退火工艺和冷却方式对磷扩散法制备的P型ZnO薄膜的微观结构和电学特性的影响的实验研究.研究结果表明,ZnO薄膜的表面形貌、结晶度、内应力以及电学特性均与制备工艺条件有密切的关系.文章对这些关系的机理做了探讨和分析.
关键词:
ZnO薄膜
,
工艺条件
,
微观结构
,
电学特性
崔江涛
,
王林军
,
苏青峰
,
阮建锋
,
蒋丽雯
,
史伟民
,
夏义本
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.005
通过改变生长参数,采用热丝化学气相沉积(HFCVD)法制备了从10μm到90nm四种晶粒尺寸的金刚石膜,并制作了三明治结构的光电导探测器.采用原子力显微镜和拉曼光谱仪研究了薄膜的结构和表面形貌:表面粗糙度从423nm变化到15nm;晶粒越大,金刚石膜的质量越好.I-V特性测试结果表明随着晶粒尺寸的减小,金刚石膜的电阻率从1011Ω·cm减小到106Ω·cm.在5.9 keV的55Fe X射线辐照下,随着晶粒尺寸的减小,探测器的信噪比(SNR)呈减小趋势.
关键词:
金刚石膜
,
电学特性
,
晶粒尺寸
,
HFCVD
张丽红
,
王茺
,
杨杰
,
杨涛
,
杨宇
人工晶体学报
采用扫描探针显微镜(SPM),对离子束溅射自组装生长的Ge/Si量子点的电学性能进行分析.实验结果表明,施加正向偏压于圆顶形量子点上时,由于表面氧化物的生成,扫描区域的电流信号是不可恢复的.施加负向偏压时,单量子点区域的电流分布特征保持环状,且电流剖面图呈双峰结构,随着负向偏压的增大,各个电流峰顶部形状由尖锐变为截平,呈现出饱和的趋势.通过对电流值大小分布的统计,证实了Ge/Si量子点的电流传导主导机制为热电子发射.
关键词:
Ge/Si单量子点
,
导电原子力显微镜
,
偏压
,
电学特性
