王矜奉
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陈洪存
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王文新
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苏文斌
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臧国忠
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亓鹏
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王春明
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赵春华
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高建鲁
功能材料
烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的.为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO2+1.50%CoCl2*6H2O+0.10%Nb2O5+x%Ag2O(x=0.00、0.02、0.50和1.00)的系统实验.当AgO的含量从0.00增加到1mol%时,(Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从349V/mm增大到429V/mm,1kHz时的相对介电常数从2240减小到1560.晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高和介电常数迅速减小的主要原因.对Ag掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.
关键词:
氧化银
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二氧化锡
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势垒
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电学非线性
赵鸣
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吴晓亮
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李海松
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王聚云
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张锰
功能材料与器件学报
采用传统混合氧化物工艺在800℃经4小时烧结制备了0.01-0.2mol％ Bi2O3掺杂的ZnO-V2O5-SnO2 (ZnVSnO)基压敏陶瓷,采用电子天平、SEM、XRD和I-V测试仪研究了其密度、显微结构和电性能随Bi2O3含量的变化.结果表明:随Bi2O3含量升高,ZnVSnO基陶瓷密度变化不大,相对密度均超过了98％；样品均由ZnO主晶相和少量的Zn2SnO4、Bi2 Sn2 O7第二相组成,但平均晶粒直径从2.13μm降到1.54μm,样品的压敏场强和非线性系数随之升高.当Bi2O3掺杂量为0.2mol％时样品性能最优,其压敏场强、非线性系数和漏电流密度分别为2842V/mm、51.2和0.0925mA/cm2.
关键词:
ZnO-V2O5-SnO2基压敏陶瓷
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Bi2O3
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显微结构
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电学非线性
