蔡加法
,
陈厦平
,
吴少雄
,
吴正云
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2016.06.018
分析并比较了4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压(C-V)特性随温度和偏置电压的变化情况,观测到4H-SiC p-i-n结构中的深能级缺陷.结果表明:由于近零偏压时探测器i型层已处于耗尽状态,其高频(1 MHz) C-V特性几乎不随反向偏压变化.随着温度升高,被热离化的自由载流子数量增多导致高频结电容随之增大;探测器的低频(100 kHz)结电容比高频结电容具有更强的电压和温度依赖性,原因在于被深能级缺陷俘获的载流子随反向偏压增大或随温度升高而被离化,从而对结电容产生影响.
关键词:
光电子学
,
4H-SiC
,
p-i-n紫外光电探测器
,
电容-电压
,
深能级缺陷
孔祥建
,
荆海
,
黄霞
,
廖燕平
,
刘金娥
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.017
提出了一种更为准确的测量向列相液晶展曲、弯曲弹性常数的C-V方法.以正性液晶材料为例,当沿面排列的液晶分子预倾角不为零时,阈值电压值不易确定, k11的确定必定存在误差,而以前报道并未考虑到此问题.文章针对此问题给出了在强锚定条件下,预倾角不为零时C-V的关系式,并提出了通过曲线拟合来同时确定弹性常数k11、k33的方法.此方法对弹性常数的测量更为准确,液晶盒的制作要求降低,且测试简单、易操作.
关键词:
向列相液晶
,
电容-电压
,
弹性常数
,
预倾角
,
曲线拟合
