李桂英
,
余萍
,
肖定全
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.006
研究了利用钡、锶的碳酸盐代替醋酸盐作原料,采用新的Sol-gel技术制备Ba1-xSrxTiO3(BST)铁电薄膜的技术.采用碳酸钡、碳酸锶和钛酸四丁酯作原料配制BST溶胶;通过TG/DTA分析确定了BST薄膜的制膜工艺;使用XRD、SEM、AFM技术分析了薄膜的微结构.研究结果表明,采用碳酸盐作为钡、锶的原料,用冰醋酸和乙二醇甲醚混合液作溶剂,可配制出澄清透明、能长时间放置的溶胶,用此溶胶制备出了膜厚均匀、表面光洁致密、没有裂纹的全钙钛矿相的BST薄膜;采用扫描探针显微镜的压电响应模式(PFM)观察到了BST薄膜中的具有纳米结构的a畴和c畴.
关键词:
BST薄膜
,
溶胶-凝胶技术
,
微结构
,
电畴
刘艳改
,
刘宝林
,
黄朝晖
,
房明浩
,
彭鹏
,
安志彤
稀有金属材料与工程
将LiTaO3压电陶瓷颗粒分别添加到Al2O3和Sialon结构陶瓷基体中,通过对复相陶瓷试样断口形貌和裂纹扩展路径的观察,研究了Al2O3和Sialon结构陶瓷基体中LiTaO3第二相的断裂行为.研究结果表明:Al2O3和Sialon陶瓷基体的断裂均为沿晶断裂,LiTaO3压电陶瓷颗粒的断裂为穿晶断裂,在LiTaO3第二相的断口上,观察到了许多断裂台阶,这些断裂台阶是由于试样断裂时,裂纹扩展过程中遇到LiTaO3晶粒内的90°电畴发生裂纹偏转和分支引起的.
关键词:
LiTaO3
,
Sialon
,
Al2O3
,
复相陶瓷
,
断口形貌
,
电畴
符春林
,
杨传仁
,
陈宏伟
,
王迎新
,
胡立业
材料导报
铁电薄膜是一类重要的功能材料,铁电畴是其物理基础.综述了铁电薄膜中电畴的表征方法(高分辨透射电镜、扫描力显微镜、X射线衍射、拉曼光谱等)、类型(c畴和a畴、180°畴和90°畴等)、临界尺寸(单畴临界尺寸和铁电临界尺寸)等方面的研究进展,提出了研究中需要解决的一些问题.
关键词:
电畴
,
铁电薄膜
,
临界尺寸
,
表征方法
龙伟
,
惠增哲
,
李晓娟
,
罗海龙
,
焦藏桢
材料导报
采用热台偏光显微镜观察以ACRT+ Bridgman法获得、经过金相抛光处理的弛豫铁电PMN-32PT单晶[100]cub切型电畴组态,考察了未退火状态下[100]cub切型单晶的消光行为及连续升温对本征电畴与由抛光机械应力诱导非本征电畴组态的影响.结果表明,在升温过程中,PMN-32PT单晶非本征电畴在三方-四方铁电相变后消失；本征电畴组态的变化表现为两个阶段,第一阶段畴先细化后宽化,第二阶段进行铁电-顺电相变,相变过程缓慢,持续范围为168～177℃,且与三方-四方相变出现次序相反.
关键词:
PMN-32PT单晶
,
电畴
,
相变
,
消光角
戴林杉
,
包生祥
,
曾慧中
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2004.05.009
应用扫描力显微镜(SFM)的压电响应模式观测未经抛光处理的PZT陶瓷片的电畴结构,用纵向压电响应信号和侧向压电响应信号获得PZT陶瓷材料三维电畴结构.结果表明,将样品晶粒的微形貌与SFM的纵向和侧向压电响应信号相结合,能准确表征粗大晶粒样品的三维电畴结构.用SFM可观测表面不经任何处理的陶瓷样品的电畴,不会引入表面应力等影响因素,能得到样品的原生畴结构.对原生畴结构的观察表明,对于受应力较大的晶粒,成畴的主要原因是降低应变能,而受应力较小的晶粒成畴的主要原因是降低退极化能.
关键词:
无机非金属材料
,
铁电体
,
扫描力显微镜
,
电畴
,
PZT陶瓷
,
压电响应
朱志刚
,
李宝山
,
李国荣
,
郑嘹赢
,
殷庆瑞
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.03.021
运用XRD、TEM、EDS等实验手段,研究了Si离子掺杂对PMS-PZT材料的相结构、微观结构以及电畴形貌的影响.XRD测试结果表明,所有材料都显示钙钛矿结构,四方度(c/a)随着掺杂量的增加而增大.TEM研究结果表明,随着Si离子掺杂量的增加,电畴的形貌由鱼刺型过渡到微米级的带状畴,最后转变为波浪状的电畴.EDS表明在材料的晶界处含有纳米级的SiO2和PbSiO3,并且发现单斜晶系的孪晶ZrO2在晶界附近析出.本文对孪晶ZrO2的析出及其析出量随着硅离子含量增加而增加的原因作了解释,最后对材料压电性能的降低进行了探讨.
关键词:
锑锰锆钛酸铅
,
TEM
,
压电
,
电畴
何建平
,
吕文中
,
汪小红
,
王雨
,
胡永明
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00683
采用常规同相反心法制备了Ba1-xSrxTiO3(x=0.7,0.4,0.1)陶瓷,利用扫描力显微镜的压电响应模式得到了压电响应像,并观察到了外加直流电压时的电畴诱导和极化反转.在10V电压下(样品厚90 μm,下同),室温时顺电体Ba0.6Sr0.4TiO3中诱导出了铁电畴,而顺电体Ba0.3Sr0.7TiO3中并未诱导出铁电畴.12V和-12V电压下,Ba0.9Sr01TiO3中的电畴发生了明显的极化反转.对x=0.4、0.1的样品使用透射电子显微镜进行观察,发现室温下前者无电畴,进一步验证了压电响应图像的结果;后者有电畴,且为鱼刺状的畴结构.同时对顺电相Ba1-xSrxTiO3材料中非线性介电特性的起源进行了探讨.
关键词:
钛酸锶钡
,
压电响应力显微
,
电畴
,
极化反转
孟庆昌
,
吕苏华
,
王文
,
贾德昌
稀有金属材料与工程
采用固相反应法合成了SrBi2Ta2O9(简称SBT)和V掺杂SrBi2Ta2O9(简称SBTV)陶瓷,通过TG-DTA、XRD、SEM、TEM等技术手段研究了材料的烧结工艺、相组成和微观组织结构.研究表明:V2O5是一种很好的助烧剂,掺杂后材料的烧结温度可降低200℃烧结后纯SBT均为单一的钙钛矿相SBT;掺杂后2种成型工艺所制备的SBTV除了生成少量Bi4(V2O11)外,仍主要由钙钛矿相组成;同时所有的材料都发生了一定程度的择优取向.掺杂后材料的晶粒形态发生变化:棒状转化为片状.同时V掺杂后引起了晶格畸变,产生应变,SBTV材料在透射中观察到具有α-边界特征的90°畴.
关键词:
V-掺杂
,
SBTV铁电陶瓷
,
电畴
