李志强
,
李娟
,
田少华
,
韦志仁
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2004.02.013
以硅酸乙酯和氧气作为前驱体,在500℃下, 采用流态化CVD法,对ZnS:Cu电致发光粉表面包覆SiO2薄膜,对膜层进行了SEM、EDX、AgNO 3抗腐蚀、发光亮度等测试.结果显示:发光粉颗粒表面明显存在一定量的SiO2.包覆的发光粉耐AgNO3腐蚀时间能达121h之久,样品的初始发光亮度均能达到未包覆样品的70%以上,包膜样品的发光光谱峰没有产生大的移动.
关键词:
电致发光粉
,
SiO2
,
包膜
,
CVD
