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电子在镍纳米晶中的直接隧穿及其在MOS结构中的存储

倪鹤南 , 吴良才 , 宋志棠 , 惠唇

稀有金属材料与工程

研究了镍纳米晶镶嵌在MOS(金属—氧化物一半导体)电容结构中应用于非挥发性存储器的可行性.制备了镶嵌在氧化层中的镍纳米晶.采用电子束蒸发方法,再经过快速退火工艺,得到平均尺寸7nm,密度1.5×1012/cm2的镍纳米晶.电容随频率变化曲线发现明显的峰,测试分析了电容-电压和电导-电压特性.结果表明电子通过直接隧穿停留在镍纳米晶中,并且存储在MOS结构中.

关键词: 纳米晶存储器 , 镍纳米晶 , MOS结构 , 电荷存储特性