郭娟
,
郜超军
,
朱志立
,
杨立红
,
董成
低温物理学报
以K2 WO4、WO3和W粉为原料,用混合微波方法制备了钾钨青铜KxWO3样品.随着名义钾含量x的增加,KxWO3样品的晶体结构由六方(0.20≤x≤0.33)转变为四方(0.50≤x≤0.60).四方相样品均显示金属型导电特性.在六方相样品K0.2 WO3中观测到了明显的电荷密度波(CDW)转变,转变温度为265K,其余六方相样品则为半导体型导电特性.在x=0.20不变的条件下,以Ca部分替代K制备了(K1-2yCay)0.2WO3(名义钙含量y=0.1,0.2,0.3)样品,其主相仍为六方相.当0＜y≤0.2时,六方相的晶胞参数a和c随y的增加而增大.从电阻率-温度曲线上可以看出,名义钙含量的变化会影响样品中的CDW转变.
关键词:
钾钨青铜
,
晶体结构
,
电输运特性
,
电荷密度波
王俊峰
,
贾颖
,
柯满竹
,
石兢
,
金正中
功能材料
钼蓝青铜A0.3MoO3(A为K,Rb或T1)是一类典型的低维材料,由于它们具有与电荷密度波(CDW)、自旋密度波(SDW)及超导相联系的奇异性质,因而受到了人们广泛的关注.长期以来对蓝青铜的研究主要在单晶上开展,本文则采用热等静压方法成功制备出了钾蓝青铜多晶材料,对于蓝青铜薄膜应用中对靶材的制备有实际意义.电阻温度关系曲线的测量显示,钾蓝青铜K0.3MoO3在180K附近发生导体到半导体的Peierls相变.
关键词:
低维材料
,
电荷密度波
,
热等静压
,
制备
王洪涛
,
郑毅
,
陈学枝
,
许祝安
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2003.03.005
用气相输运法制备了准一维结构的NbSe3单晶,并研究了其剩余电阻率与杂质的关系.在电子扫描电镜(SEM)下观测了NbSe3单晶的表面形貌,未见亚微米尺寸的缺陷.NbSe3单晶的电阻温度与温度的关系(ρ-T)曲线表明,NbSe3样品分别在Tp1＝145 K和Tp2＝57 K经历两次Peierls相变,剩余电阻比RRR高于200.根据对不同样品的ρ-T曲线的研究指出,以前的文献用剩余电阻比估计杂质浓度ni的方法是一个错误,并提出了改进措施.
关键词:
材料科学基础学科
,
Peierls相变
,
NbSe3单晶
,
剩余电阻比
,
电荷密度波
,
杂质浓度
乐松
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.02.019
对包括纯的、铷掺杂、钨掺杂的准一维电荷密度波材料蓝青铜系列单晶样品的电阻率温度行为、非线性输运行为进行了比较研究.实验发现,与铷掺杂相比,钨掺杂对样品的电输运特性和派尔斯相变的影响更加剧烈.特别地,对于纯样品和铷掺杂样品,电荷密度波的解钉扎阈值在100 K附近表现出极大值行为;而对于钨掺杂样品,阈值行为是单调的.针对以上结果,从蓝青铜在100 K附件可能存在的非公度-公度转变以及电荷密度波与样品中杂质缺陷和正常载流子间的相互作用角度进行了讨论.
关键词:
电荷密度波
,
派尔斯相变
,
蓝青铜
