Xing′ao LI
,
Zuli LIU
,
Kailun YAO
材料科学技术（英）
Copper nitride thin film was deposited on glass substrates by reactive DC (direct current) magnetron sputtering at a 0.5 Pa N2 partial pressure and different substrate temperatures. The as-prepared film, characterized with X-Ray diffraction, atomic force microscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy measurements, showed a composed structure of Cu3N crystallites with anti-ReO3 structure and a slight oxidation of the resulted film. The crystal structure and growth rate of Cu3N films were affected strongly by substrate temperature. The preferred crystalline orientation of Cu3N films were (111) and (200) at RT, 100℃. These peaks decayed at 200℃ and 300℃ only Cu (111) peak was noticed. Growth of Cu3N films at 100℃ is the optimum substrate temperature for producing high-quality (111) Cu3N films. The deposition rate of Cu3N films estimated to be in range of 18–30 nm/min increased while the resistivity and the microhardness of Cu3N films decreased when the temperature of glass substrate increased.
关键词:
DC magnetron sputtering
,
氮化铜薄膜
,
电阻率
,
显微硬度
任凤章
,
王晋
,
马战红
,
苏娟华
,
贾淑果
材料热处理学报
对工业纯Cu和纯Fe冷拔变形,研究大变形下性能与组织的变化.研究表明,在大变形的情况下,与退火态相比其抗拉强度、硬度和电阻率均有提高.纯Cu的抗拉强度、显微硬度和电阻率在截面真应变4.621时分别提高80.5%、42.5%和8.00%;纯Fe的抗拉强度、显微硬度和电阻率在截面真应变3.544时分别提高198.2%、54.4%和3.16%.随真应变的增大,Cu、Fe抗拉强度均明显增加,Fe表现的尤为突出.Cu的硬度和电阻率在应变增加到一定值后基本保持不变,而Fe的硬度和电阻率与抗拉强度一样始终随应变的增加而增加.用纯Cu和纯Fe在截面真应变3.544时的抗拉强度计算了Cu-11.5%Fe原位复合材料在相应变形下的抗拉强度,计算结果与测量值相符.
关键词:
Cu
,
Fe
,
大变形
,
抗拉强度
,
电阻率
,
原位
,
复合材料
陆峰
,
徐成海
,
闻立时
,
曹洪涛
,
裴志亮
,
孙超
材料保护
doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2005.07.002
为了对比研究不同透明衬底上ZnO:Al(ZAO)薄膜的性能,采用直流反应溅射法制备薄膜,并对其作EDS、XRD和电学测试分析.结果表明:所制备的ZAO薄膜具有典型的ZnO晶体结构;沉积在玻璃基片上的ZAO薄膜,Al,O含量高于沉积在透明聚酯塑料基片上的,而Zn的含量则相反;在两种衬底上获得的ZAO薄膜电阻率分别为4.5×10-4Ω*cm和9.73×10-4Ω*cm,可见光透射率分别达到87.7%和81.5%.由此可见:用直流反应磁控溅射法在不同衬底上都能获得可见光透射率达到80%以上的ZAO薄膜;相比而言,在玻璃衬底上获得的ZAO薄膜电阻率低,而在透明聚酯塑料上沉积的ZAO薄膜透射性好.
关键词:
ZAO薄膜
,
衬底
,
直流磁控溅射
,
性能
,
XRD衍射分析
,
电阻率
,
透射率
赵慎强
,
洪若瑜
,
王益明
,
罗志
,
严彪
材料导报
通过高速砂磨法制备了以丙烯酸树脂为基底、炭黑为导电填料的导电涂料.分别用X射线衍射和热重分析-差热扫描考察了炭黑/丙烯酸树脂复合涂层的结晶度和热力学性能.重点研究了炭黑添加量、偶联剂、分散程度等因素对涂层导电率的影响.结果表明,炭黑添加量在3％时,以异丙基三(十二烷基苯磺酰基)钛酸酯作为偶联剂,机械研磨时间160min,得到的导电涂层电阻率达到最低值,为533 Ω·cm.
关键词:
抗静电涂料
,
导电炭黑
,
偶联剂
,
电阻率
钟雨航
,
朱世富
,
赵北君
,
任锐
,
何知宇
,
叶林森
,
温才
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.008
采用相同温度、刚玉粉、抛光时间和不同方式配制成抛光液,对4组CdSe晶片进行抛光.研究结果表明,采用化学机械抛光能较大地提高晶片的抛光质量.通过用不同pH值的抛光液对CdSe晶片进行抛光,发现用NaOH将抛光液pH值调整为8的一组CdSe晶片,获得了最好的抛光效果,电阻率较高,达到3.2×108Ω·cm以上,适合CdSe探测器制备.
关键词:
硒化镉
,
机械化学抛光
,
抛光液
,
金相显微镜
,
电阻率
李华
,
艾斯卡尔
,
吾守艾力
黄金
doi:10.11792/hj20150404
为了查清云南金平长安金矿区的控矿断裂F6深部的延伸情况，开展了2条EH－4剖面试验测量。通过对反演电阻率断面图低阻体的圈定，较好揭示了控矿断裂F6的空间分布形态，并结合地质上的认识，提出了矿体深部存在第二找矿空间的可能，为长安金矿床下一步的深部及边部找矿提供了参考依据。传统上寻找金矿床主要是以化探手段为主，但对于长安金矿床这种严格受断裂控矿、第四系覆盖层较厚、断层地表特征又不明显的金矿床，通过物探手段来查清断裂的空间分布形态对于指导找矿具有重要的意义。
关键词:
EH-4
,
长安金矿床
,
深部构造
,
电阻率
,
反演
张晓红
,
方双全
,
强亮生
稀有金属材料与工程
选取二茂铁为掺杂剂,采用溶胶-凝胶法制备了掺杂PbTiO3粉体.基于TG-DTA分析结果给出了掺杂PbTiO3干凝胶的热处理条件和PbTiO3陶瓷的烧结条件.并讨论了影响掺杂PbTiO3凝胶的不同因素,确定了制备凝胶的最佳工艺条件.利用XRD和SEM对掺杂PbTiO3陶瓷的结构参数进行了分析,并探讨了掺杂对PbTiO3陶瓷电性能的影响.研究发现,二茂铁掺杂在试验研究范围内均能得到较好的凝胶,形成凝胶的pH值范围和掺量对体系影响不大.通过XRD分析表明,二茂铁掺杂PbTiO3陶瓷中可以看到掺杂相衍射峰.通过SEM观察发现,掺杂PbTiO3陶瓷晶粒结晶良好完整,晶界间几乎没有气孔,致密度高,同时晶粒的大小均匀,尺寸较小,为1～3 μm.还对掺杂PbTiO3陶瓷的电性能进行了初步探索,研究发现铁掺杂可以有效地降低PbTiO3陶瓷的电阻率.
关键词:
钛酸铅陶瓷
,
二茂铁
,
XRD
,
SEM
,
电阻率
郅晓
,
朱涛
,
任洋
,
李颖
,
赵高扬
功能材料
利用溶胶-凝胶法在玻璃基板上制备了Al/Zn原子掺杂比例为0～0.25的掺铝氧化锌(ZnO∶Al或AZO)薄膜,随后分别将其在空气,氧气和氮气3种不同气氛中退火处理,研究了薄膜的光学、电学与结构方面的性质.X射线衍射分析表明AZO薄膜是具有c轴择优取向的六方纤锌矿结构多晶体;通过紫外-可见光分光计测定表明该薄膜在可见光范围内具有>80%的高透过率,随着铝掺杂比例的增大光学能隙增大且吸收边向短波方向移动.
关键词:
掺铝氧化锌
,
溶胶-凝胶
,
电阻率
,
光学带隙
