宋世燕
,
何海平
,
孙陆威
,
叶志镇
材料科学与工程学报
本文采用脉冲激光沉积方法,在Si衬底上制备了ZnO薄膜.在制备好的薄膜上,用电子束蒸发沉积不同厚度的Al膜并进行快速热退火处理,系统研究了金属厚度、形貌及界面态对发光增强的影响.实验结果显示,在ZnO表面沉积一层金属薄膜时,ZnO的发光强度会降低,且随着金属厚度增加,发光强度越来越弱.当对镀有金属的样品进行退火处理后,ZnO的发光得到增强,且增强倍数在A1厚度为6nm时达到最大.这归因于退火形成的金属颗粒对金属有序表面等离激元的有效散射及退火造成的ZnO-Al界面态的变化.
关键词:
ZnO
,
金属表面等离激元
,
发光增强
,
界面态
熊超
,
肖进
,
丁丽华
,
陈磊
,
袁洪春
,
徐安成
,
周详才
,
朱锡芳
,
潘雪涛
功能材料与器件学报
本文通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶,在n-Si片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备的ZnO/n-Si异质结,并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究.研究表明ZnO/n-Si异质结存在良好的整流特性与光电响应,可以广泛应用在光电探测和太阳能电池等领域.由于在ZnO/n-Si异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差太大的缘故,在正向电压超过0.8V时,导电机理为空间电荷限制电流导电.同时研究表明ZnO/n-Si异质结界面存在大量界面态,可以通过减小界面态可以进一步提高其光电特性.
关键词:
ZnO/n-Si异质结
,
I-V特性
,
C-V特性
,
内建电势
,
界面态
贾护军
,
杨银堂
,
李跃进
,
柴常春
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.03.029
目前,宽带隙半导体材料SiC在功率MOS器件与电路方面的巨大优势一直没有很好地体现出来,这主要是受到SiC衬底上栅介质绝缘层的质量及界面特性方面的限制.本文在总结比较国际该领域研究现状的基础上,分析了碳元素的存在对介质层质量和界面态密度的影响,指出通过低温沉积氧化层以获得良好的界面质量,并通过高k介质的引入以提高介质层可靠性是今后SiC功率器件与电路研制中比较理想的栅介质制备技术.
关键词:
碳化硅
,
功率器件
,
界面态
,
复合栅介质
陈开茅
,
孙文红
,
武兰青
,
张伯蕊
,
吴恩
,
孙允希
,
乔永平
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.035
在高真空系统中,将C70膜淀积在(100)晶向n型和p型GaAs衬底上,形成固体C70/n-GaAs 和C70/p-GaAs两种接触.电学测量表明两种接触均是强整流结,在偏压为±1V时,它们的整流比分别大于106和104,以及在固定正向偏压下,它们的电流都是温度倒数的指数函数,从中确定了它们的有效势垒高度分别为0.784eV和0.531eV.深能级瞬态谱(DLTS)和C-t测量发现在C70/GaAs界面上存在一个电子陷阱E(0.640eV)和一个空穴陷阱H3(0.822eV),以及在近界面的固体C70中存在两个空穴陷阱H4(1.155eV)和H5(0.856eV).
关键词:
固体C70
,
GaAs
,
界面态
,
整流性质
