刘舒婕
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李文生
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杨效田
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何玲
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王大锋
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何艳艳
中国有色金属学报
在不同温度下对45号钢基材上制备的高铝青铜等离子喷焊层进行热扩散处理,研究喷焊层与基体之间元素扩散对喷焊层组织及摩擦性能的影响.采用OM、XRD、SEM、EDS分析喷焊层表面、界面组织结构及Fe、A1元素界面扩散;采用拉伸法测定喷焊层结合强度;采用销-盘式摩擦磨损试验机测试喷焊层摩擦磨损性能.结果表明:热扩散处理使喷焊层组织成分偏析情况得到改善;喷焊层的冶金结合带变宽,产生明显的元素扩散现象,在650℃热扩散处理之后喷焊层结合强度达448.93 MPa;480℃热扩散处理后的喷焊层摩擦性能最稳定、磨损量最低,硬、软质相形态分布及Fe元素含量两种摩擦性能影响因素达到有机结合,获得最佳的耐磨减摩性能;喷焊层经热扩散处理后磨损机制均为以磨粒磨损为主,局部存在粘着磨损及疲劳磨损.
关键词:
高铝青铜
,
组织
,
性能
,
热扩散
,
界面扩散
,
摩擦
,
磨损
朱满康
,
陈健
,
侯育冬
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严辉
稀有金属材料与工程
利用雾化热解工艺,在Si(100)衬底上制备了Eu掺杂的ZnO薄膜,通过N2的作用,将前驱体溶液输送到衬底表面,同时为实现ZnO的晶化,衬底温度保持在350℃.通过RBS分析了薄膜和衬底之间的原子分布,结果显示了ZnO薄膜与Si衬底之间存在过渡层.对RBS数据的分析表明该过渡层的形成是由于Si向ZnO层中的扩散,表明Si向氧化物中的扩散是不能忽略的,即使在350℃的低温下.同时,作者利用Fick扩散方程对Si向Eu3+掺杂ZnO薄膜的扩散行为进行了分析,结果表明掺杂离子Eu3+具有阻止Si扩散的能力,其原因可能与Eu3+离子在晶界上的偏析有关.
关键词:
ZnO
,
薄膜
,
Si
,
界面扩散
江山
,
潘勇
,
王世建
,
周益春
材料保护
一些特殊的工件在加工过程中,镀层易起皮、脱落,镀层与基体间有一过渡层可避免这一点,这通常可通过局部热处理加以解决;而传统的扩散退火热处理中,热量是从材料外部向其内部传递,整个材料都被加热,要实现镀层与基体的界面扩散,就会不可避免地造成纳米晶镀层的晶粒长大;而且如果只需对材料的某个局部加热,其效率显然较低.为此,对电沉积纳米晶镍镀层与低碳钢基体进行电阻点焊试脸,考察了利用电流作用下界面接触电阻产生热量来实现镀层与基体界面原子扩散的可行性以及时镀层微观结构的影响.用X射线衍射(XRD)表征了点焊前后纳米晶镍镀层微观结构的变化;利用背散射电子像(BSE)观察界面的结构变化;用扫描电子显微镜(SEM)附带的能量色散谱(EDS)探测了界面上的原子扩散.结果表明:点焊前后纳米晶镍镀层的平均晶拉尺寸和织构基本保持不变;镀层和基体界面上发生了明显的原子互扩散,形成了扩散过渡层.该方法既可以促使镀层与基体界面发生原子扩散,又能保证纳米晶镍镀层晶粒不长大,为纳来晶体镀层材料的界面局部热处理提供了一种新的途径.
关键词:
界面局部热处理
,
电阻点焊
,
纳米晶镍镀层
,
界面扩散
,
晶粒长大
,
织构
杜永胜
,
王波
,
许仕龙
,
于敦波
,
李彤
,
严辉
,
张深根
功能材料
利用磁控溅射方法在Si(100)衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层,再沉积La0.8Sr0.2MnO3(LSMO)薄膜,得到(110)面择优生长的LSMO/SMO双层结构.利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特征对LSMO薄膜择优取向生长的影响;利用Rutherford背散射(RBS)分析了LSMO/SMO间的界面情况.结果表明:以SMO作为单一缓冲层时,不仅可以实现LSMO薄膜在Si(100)衬底上的(110)面的择优生长,而且LSMO/SMO的界面扩散现象也不明显.
关键词:
LSMO薄膜
,
SMO缓冲层
,
择优取向生长
,
界面扩散
赵艳琴
,
王岭
,
周会珠
,
吴印林
,
王建民
,
赵海燕
稀有金属材料与工程
采用固相反应法成功制备了电解质Ce0.8Gd0.2O1.9(CGO).在250 ℃～600 ℃范围内利用交流阻抗谱技术测试了分别以Pt和Ag作电极的CGO的导电性能和界面行为,探讨了低温下电导率与温度,界面电阻与温度和频率等之间的关系;并对O2在电极表面的扩散机理进行研究.结果表明,用Pt或Ag作电极时,晶粒、晶界和总电导率与温度均严格遵守Arrhenius公式,CGO(Pt)的电导活化能Ea分别为0.41,0.51,0.42eV,CGO(Ag)的电导活化能Ea分别为0.43,0.55,0.42eV;晶界阻抗半圆中的特征频率与温度也均符合Arrhenius公式;Pt(Ag)/CGO的界面阻抗主要来自氧的扩散阻抗,其扩散活化能分别为0.32eV和0.52eV.
关键词:
钆掺杂氧化铈
,
交流阻抗谱
,
电导率
,
界面扩散
刘文波
,
傅莉
,
李亚鹏
,
王晓珍
人工晶体学报
采用电流-电压特性测试和X射线光电子能谱测试对Cu/Hg3In2Te6接触特性及其形成机制进行了研究.研究发现,当所加电压不超过10 V时,Cu/Hg3In2Te6接触的电流-电压特性曲线均呈现出良好的线性关系,表现为欧姆接触特性.经拟合,在1V、3V、5V和10 V电压下的Cu/Hg3In2Te6接触的欧姆特性系数分别为0.99995、0.99981、0.99968和0.99950.当电压增加至12 V及以上时,由于Cu/Hg3In2Te6接触势垒被击穿,导致Cu/Hg3In2Te6欧姆接触被破坏.通过X射线光电子能谱深度剖析,发现界面处的元素存在显著的扩散现象,因而导致界面元素的化学环境发生改变,引起了界面上各元素的结合能发生偏移,其中Cu2p结合能向高能方向偏移0.15 eV,而Te3d结合能向低能方向偏移0.15 eV.研究表明界面元素互扩散是促进Cu/Hg3In2Te6欧姆接触形成的主要原因.
关键词:
Hg3In2Te6
,
欧姆接触
,
X射线光电子能谱
,
界面扩散
林化春
,
王俊英
,
杨启志
,
林晨
,
兰德喜
,
赵桂
,
郭连军
钢铁研究学报
对真空熔烧法制作的镍基合金-碳化铬复合涂层界面两侧合金元素的扩散提出了电子探针与最小二乘法相结合的研究方法,并编制了C语言计算程序,简化了计算过程,可快速、准确地求出合金元素在γ-Fe中的扩散系数.结果证明界面扩散是决定复合材料界面结合状况的关键.
关键词:
复合涂层
,
界面扩散
,
最小二乘法
,
电子探针
罗文博
,
张鹰
,
李金隆
,
朱俊
,
艾万勇
,
李言荣
功能材料
利用激光分子束外延(LMBE)方法在Si(100)基片上直接生长BaTiO3(BTO)铁电薄膜.通过俄歇电子能谱(AES),X光电子能谱(XPS)等分析手段系统研究了在Si基片上直接生长BTO铁电薄膜过程中的界面扩散现象.根据研究得到的BTO/Si界面扩散规律,采用一种新型的"温度梯度调制生长方法"减小、抑制BTO/Si界面互扩散行为,实现了BTO铁电薄膜在Si基片上的选择性择优定向生长,为在Si基片上制备具有原子级平整度的择优单一取向的BTO铁电薄膜奠定了基础.
关键词:
界面扩散
,
钛酸钡
,
硅
,
俄歇电子能谱
,
X光电子能谱
