邢丽
,
严超英
,
魏鹏
,
徐卫平
,
柯黎明
材料科学与工艺
采用左、右螺纹搅拌针的搅拌头对不同热处理状态的2A12铝合金板材进行FSW搭接试验，研究了搅拌针螺纹旋向、材料性能对搭接接头界面迁移行为及接头拉剪强度的影响。研究结果表明：搅拌头顺时针旋转时，搭接界面在左螺纹搅拌针作用下向上迁移，而在右螺纹搅拌针作用下向下迁移且界面迁移高度较小。 FSW搭接接头的拉剪强度随界面迁移高度的增加而减小。采用右螺纹搅拌针得到的搭接界面成形主要受下板材料性能影响，搭接时下板材料强度越高，其搭接界面向下迁移距离越大，而搭接界面变形宽度越小。
关键词:
FSW
,
搭接接头
,
界面迁移
,
材料性能
,
螺纹旋向
万媛媛
,
解挺
,
俞建卫
,
尹延国
,
焦明华
,
田明
,
马少波
材料导报
系统介绍了聚合物基复合材料在摩擦过程中的界面迁移--转移膜的形成及其影响因素,得出如下规律:聚合物与对偶件滑动接触时都会发生界面迁移,导致对偶件表面形成一层转移膜.填料对转移膜的形成有促进或减弱的作用,从而减小或增大材料的摩擦系数,提高或降低材料的耐磨性;并且填料对于转移膜粘结强度的贡献与磨损率有着强烈的关联,粘结强度大则磨损率小,粘结强度小则磨损率变大.对偶件表面粗糙度对转移膜的生成也有很大影响,适当的粗糙度会促使偶件表面形成较均匀、连续且致密的复合材料转移膜,此时复合材料的磨损率也最低.滑动速度、载荷、湿度等对转移膜的生成都有重要影响.
关键词:
聚合物基复合材料
,
界面迁移
,
转移膜
,
摩擦磨损
,
填料
,
表面粗糙度
魏鹏
,
邢丽
,
徐卫平
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2011.06.009
采用左螺纹圆柱搅拌针对2mm厚的LF6铝合金板进行搅拌摩擦焊搭接实验,研究了轴肩下压量对搅拌摩擦焊搭接焊缝界面迁移的影响.结果表明:焊缝返回边和前进边的搭接界面均向焊缝上表面迁移,在返回边,界面迁移至焊缝顶部时,水平向焊缝中心迁移,最大可延伸至前进边;而前进边的界面仅分布在前进边侧.返回边的界面迁移高度随轴肩下压量增加而增大,但当轴肩下压量超过0.18mm时,其迁移高度减小;前进边的界面迁移高度随轴肩下压量增加而逐渐增大.通过观察迁移界面的微观形态,返回边的界面向上迁移时,为未连接形貌;界面迁移至焊缝顶部时,呈断续连接;界面沿水平方向向焊缝中心迁移时,界面紧密连接.前进边的迁移界面始终保持连续.
关键词:
搅拌摩擦焊
,
搭接
,
轴肩下压量
,
界面迁移
王忻凯
,
邢丽
,
徐卫平
,
黄春平
,
刘奋成
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2015.05.002
采用4mm厚的5A03-H铝合金板材作为基材,利用无倾角成形工具,进行搅拌摩擦增材制造工艺实验,研究工艺参数对增材区成形的影响.结果表明:随着行进速度提高,单道增材宽度、界面迁移高度和迁移宽度值均减小.当行进速度为60mm/min时,界面迁移量较小,单道增材宽度较大.增材间距大时,会有两道次间的未结合界面和迁移界面缺陷;随间距减小,未结合界面逐渐转变成迁移界面;当间距达到某个值时,迁移界面消失.为了得到成形良好的增材区,必须优化增材加工的间距.逆向增材与同向增材相比,能有效地抑制并消除向增材区中心迁移的界面,因此可获得较大的有效增材宽度.
关键词:
搅拌摩擦增材制造
,
铝合金
,
工艺参数
,
界面迁移
张明义
,
王永欣
,
陈铮
,
张静
,
赵彦
,
甄辉辉
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2007.10.017
利用微观相场动力学模型模拟Ni-Al-V合金沉淀过程中L12(Ni3Al)相间有序畴界面,对界面结构及其界面处原子的行为进行了研究.结果表明:L12相间存在3种稳定的平移界面以及2种过渡界面;界面的迁移性与界面结构有关,一个L12相的(100)和另一个L12相的(200)对应且有两个Ni原子面的界面以及(100)和(100)对应且有两个Ni原子面的稳定界面可以迁移,迁移前后界面结构保持不变,迁移的过程中形成过渡界面;而(100)和(200)对应且有一个Ni原子面的稳定界面则不可迁移.合金元素在不同的界面处有不同的偏聚和贫化倾向,Al原子在所有界面处贫化,V原子在所有界面处偏聚,Ni原子在可迁移界面处贫化,而在不可迁移界面处偏聚,且各元素在不同的界面处偏聚以及贫化程度不同.
关键词:
Ni-Al-V合金
,
L12(Ni3Al)相
,
有序畴界
,
成分偏聚
,
界面迁移
,
微观相场
张明义
,
陈铮
,
王永欣
,
卢艳丽
,
张静
,
范晓丽
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2009.08.006
界面结构保持不变,而界面(002)D//(002)L·1/2[100]迁移后形成界面(002)D//(002)L,两者交替出现;相变过程中,界面迁移总是沿着最优化的路径进行原子跃迁和替换,遵循跃迁原子数目最少、跃迁路径最短原则.
关键词:
Ni75AlxV25-x合金
,
相变
,
有序畴界
,
界面迁移
,
微观相场
张婧
,
封小松
,
黄珲
,
赵慧慧
,
张成聪
,
熊艳艳
,
董丰波
,
郭立杰
稀有金属材料与工程
对薄壁铝合金/铝基SiC复合材料搭接接头微搅拌摩擦焊接(μ-FSW)工艺特性、接头形貌特征及力学性能进行研究,并揭示搭接界面形成机制及接头失效机制.结果表明:在较宽的工艺参数窗口内均可得到成形良好的焊缝.由于μ-FSW所特有的金属流动特点,以及SiC颗粒难以流动的特性,搭接界面呈现出一种特殊的“弯钩状”形貌.接头的断裂为界面迁移处“减薄”区域的拉伸断裂.接头力学性能与载荷方向直接相关,这是由不同的金属塑性流动行为所致.
关键词:
铝基SiC复合材料
,
微搅拌摩擦焊接
,
搭接
,
界面迁移
张明义
,
王永欣
,
陈铮
,
张静
,
赵彦
,
甄辉辉
金属学报
利用微观相场动力学模型模拟Ni-Al-V合金沉淀过程中L12相间有序畴界面，对界面结构及其界面处原子的行为进行了研究。研究表明L12有序畴间存在三种稳定界面以及两种过渡型界面；界面的迁移性与界面结构有关，(001)L12和(002)L12对应、(001)L12和(001)L12对应且有两个Ni原子的稳定界面可以迁移，迁移前后界面结构保持不变，且在迁移的过程中形成过渡型界面；而(001)L12和(002)L12对应且有一个Ni原子的稳定界面则不可迁移；合金元素在不同的界面处有不同的偏聚和贫化倾向，Al原子在所有界面处贫化，V原子在所有界面处偏聚，Ni原子在可迁移界面处贫化，在不可迁移界面处偏聚，且各元素在不同的界面处偏聚以及贫化程度也不一样。
关键词:
Ni-Al-V
,
atomic accumulation
,
microscopic structure
,
microscopic phase-field
