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原词结果 | 译词结果

溅射法制备Al/Pb金属多层膜

郭诗玫 , 孙勇 , 王闸

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2006.09.006

通过直流二极溅射法制备了具有不同调制波长和周期的Al/Pb金属多层膜.分别通过扫描电镜、X-射线衍射试验以及能谱对多层膜的表面形貌、断面形貌、结构和组成进行了分析.结果表明,所制备的Al/Pb纳米多层膜既无新相生成也无非晶相产生;在亚微米尺寸范围内,铝和铅的微粒分布均匀;在纳米尺寸范围内,形成了Pb对Al的包覆.

关键词: 直流溅射 , Al/Pb纳米金属多层膜 , 微粒分布 , 纳米尺寸

直流溅射缓冲层生长ZnO/Si薄膜

姚然 , 朱俊杰 , 段理 , 朱拉拉 , 傅竹西

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.031

ZnO是一种新兴的的宽禁带半导体材料,相对于传统的宽禁带材料有很多的优势.在相对成本低廉的Si衬底上生长ZnO薄膜是现在攻关的热门课题.目前用缓冲层方法生长ZnO薄膜取得了一些突破.本文利用直流溅射,先在Si衬底上溅射一层ZnO多晶薄膜,通过对直流溅射时间的控制,可以得到不同厚度的ZnO缓冲层.再利用MOCVD设备生长高质量的ZnO薄膜.通过研究发现,直流溅射ZnO薄膜的厚度对于最终的薄膜质量有很大的影响.随着缓冲层的引入,双晶衍射XRD的摇摆半宽有显著下降,并且随着最终ZnO薄膜质量上升,光致发光也有显著的提升.可见缓冲层的引入对ZnO/Si薄膜的质量和发光强度有很大的贡献.

关键词: 氧化锌 , 直流溅射 , MOCVD , 缓冲层

溅射超薄Ag膜中的晶格畸变

孙兆奇 , 曹春斌 , 宋学萍

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.04.005

用直流溅射法制备了厚度从11.9到189.0 nm的超薄Ag膜.X射线衍射(XRD)分析表明:样品中的Ag均为面心立方多晶结构,粒径从6.3到14.5 nm.通过晶格常数的计算发现:晶格畸变为收缩,且随着粒径的减小收缩率增加,最大值为1.1%.结合不同方法制备纳米Ag材料的研究结果,讨论了影响晶格畸变的主要因素.

关键词: 直流溅射 , 超薄Ag膜 , 晶格畸变

氮氧化铪薄膜在不同衬底上的场发射性能

王晓明 , 谢二庆 , 叶凡 , 段辉高 , 周明

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.021

利用直流溅射法在Si、Zn、Ni三种不同衬底上沉积HfNxOy薄膜并测试了其场发射性能.扫描电子显微镜(SEM)显示HfNxOy薄膜表面由纳米颗粒组成,X射线衍射(XRD)说明薄膜中含有HfN和HfO2两种相.场发射测试结果显示,和金属衬底上的薄膜相比,Si衬底上的薄膜的开启电场小且发射电流密度大.文中对三种衬底上发射电流密度大小不同的原因进行了讨论.电流一时间的对应关系说明HfNxOy薄膜的场发射电流稳定.

关键词: 直流溅射 , HfNxOy薄膜 , 场致电子发射

热处理温度对铁电薄膜底电极Pt和Pt/Ti物相与形貌的影响

宋志棠 , 任巍 , 吴小清 , 张良莹 , 姚熹

材料研究学报

随着热处理温度上升,在SiO2/Si衬底上溅射的Pt、Pt/Ti电极中,构成Pt薄膜的晶粒由小变大,由分布均匀到晶粒局部聚集,最后分离成小岛.Ti层可提高Pt薄膜与基片间的粘附性和高温下的稳定化快速热处理可提高Pt薄膜在高温下的连续性.并研究了Pt薄膜对PLT铁电薄膜的成品率和分散性的影响.

关键词: Pt薄膜 , null , null , null , null

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