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一种MEMS压控电容设计及其相位噪声分析

王政 , 刘泽文

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.02.056

给出了一种MEMS压控电容的设计和相位噪声分析结果.在电容器结构中引入衬底金属层以达到控制寄生电容的目的;使用HFSS进行了上极板开孔对电容的影响的仿真,得到了不影响电容值的最佳尺寸是5微米.在恒寄生电容的假设下分析了MEMS压控电容的相位噪声,在SPICE模型基础上使用HSPICE进行了相位噪声仿真,分析发现布朗运动所产生的相位噪声的典型值是-176dBc/Hz,环境声波造成的相位噪声的典型值是-137dBc/Hz.

关键词: MEMS压控电容 , 可控寄生电容 , 刻蚀孔 , 相位噪声

基于光纤四波混频DPSK系统相位噪声提取检测和抑制

周振 , 徐铭 , 蒲骁

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.01.019

差分相移键控(DPSK)在长距离光纤通信系统中有高接收机灵敏度、高频谱效率以及抗非线性效应方面的优势,最近受到广泛关注.在DPSK通信系统中,线性相位噪声和非线性相位噪声是影响系统性能的主要因素.研究了如何利用光纤四波混频(FWM)效应来监测和抑制相位噪声,降低相位噪声对DPSK通信系统的影响.结果表明利用光纤FWM效应产物可以检测相位噪声值,并且基于光纤饱和FWM效应全光限幅器可以有效地降低非线性相位噪声,提高了DPSK系统性能.该结果对研究高速全光通信有重要意义.

关键词: 非线性光学 , 相位噪声 , 差分相移键控 , 非线性相位噪声

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