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AIN-堇青石玻璃复合材料的介电性能

陈国华 , 刘心宇

材料科学与工艺

为了研究热压温度和AIN含量对AIN-堇青石玻璃复合材料烧结和介电性能的影响,采用真空热压方法在900~1000℃低温烧结制备AIN-堇青石玻璃复合材料,利用X射线衍射、扫描电镜和阻抗分析仪对复合材料的微结构和介电性能进行了研究,结果表明,随着热压温度的提高,复合材料的相对密度增加,复合材料的介电常数和介电损耗减少;在一定的热压温度下,复合材料的介电常数和介电损耗随着AIN引入量的增加而增加,从复合材料的相组成和结构角度对以上结果予以解释,提高热压温度和增加α-堇青石数量均有利于降低复合材料的介电常数和介电损耗,.制备的复合材料具有低的介电常数(5.6~6.5)和低的介电损耗(≤10-3),有望用于微电子封装领域.

关键词: AIN , 堇青石玻璃 , 复合材料 , 真空热压 , 介电性能

机械活化热压制备新型Cu/Cr2Nb触头材料的组织与性能

鲁世强 , 胡春文 , 王克鲁 , 李鑫 , 肖璇 , 贺跃辉

稀有金属材料与工程

将Cu、Cr、Nb元素粉经25 h机械合金化活化处理后,在1000 ℃保温1 h的工艺下通过真空热压来制备新型Cu/Cr2Nb触头材料,研究了不同成分Cu/Cr2Nb触头材料的组织和性能.结果表明,在机械合金化过程中未能合成出Cr2Nb,但在热压过程中得到了充分合成和析出,所制备的Cu/Cr2Nb触头材料的组织均匀细小,Cr2Nb相尺寸在几个微米.当Cr2Nb含量(质量分数)为25%~35%时,Cu/Cr2Nb触头材料的致密度与熔渗法和热压法制备的常规CuCr50触头材料相当,但前者的硬度和电导率却明显高于后者.

关键词: Cu/Cr2Nb触头材料 , 机械合金化 , 真空热压 , 组织与性能

真空热压SiCp/2024Al复合材料力学性能与显微结构

谢敬佩 , 王行 , 王爱琴 , 郝世明 , 刘舒

材料热处理学报

采用真空热压法制备了体积分数为30%的SiCp/2024Al复合材料,研究了该复合材料的显微组织结构及力学性能.结果表明,复合材料组织致密,颗粒与基体界面结合状况较好,SiC颗粒在铝基体中基本上分布均匀.经490℃、2h固溶处理和170℃、8h人工时效后,SiCp/2024Al复合材料的抗拉强度、屈服强度和伸长率分别为409 MPa、325 MPa和4.9%,基体中存在大量的纳米析出相为S'(Al2CuMg).随SiC颗粒加入,复合材料力学性能提高,其断裂方式为基体开裂和界面处撕裂.

关键词: 铝基复合材料 , 真空热压 , 力学性能 , 显微结构 , 断裂机理

Si3N4颗粒和纳米SiC晶须强韧化MoSi2基复合材料

柳公器 , 周宏明 , 肖来荣 , 易丹青 , 张路怀

材料科学与工程学报

用真空热压法制备了Si3N4颗粒和纳米SiC晶须强韧化MoSi2基复合材料.采用X射线衍射仪、金相显微镜、扫描电镜分析了该材料的物相、微观组织结构和断口形貌,测算了其致密度、晶粒尺寸、抗弯强度和断裂韧性.结果表明:复合材料致密性好;添加的Si3N4和SiC与基体有着很好的化学相容性;与纯MoSi2相比,复合材料晶粒明显细化,抗弯强度和断裂韧性明显增加.其中MoSi2+20%Si3N4+10%SiC抗弯强度达400MPa,比纯MoSi2提高了58.7%;断裂韧性达6.1MPa·m1/2,比纯MoSi2提高了108.9%.复合材料的强化机制为细晶强化和弥散强化;韧化机制为细晶韧化、裂纹偏转和裂纹微桥接.

关键词: 二硅化钼 , Si3N4颗粒 , 纳米SiC晶须 , 力学性能 , 真空热压

8~12μm长波红外材料ZnS多晶的制备

李玉斌 , 徐运生

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.05.021

真空热压烧结法是最经济、高效地制备ZnS多晶的方法之一.ZnS多晶的红外透过率是衡量材料品质的重要参数.本文运用TEM、XRD和化学分析方法,研究了原料粉末特性和热压工艺参数对热压ZnS多晶红外透过率的影响,并确定了合理的热压工艺参数.运用该方法制备的ZnS多晶6mm厚的试样,8~12μm波段平均红外透过率为66.7%.

关键词: 真空热压 , 红外透过率 , ZnS多晶体 , 8~12μm长波

机械合金化制备Cu-0.5Wt%Nb合金组织与性能的研究

雷若姗 , 汪明朴 , 郭明星 , 李周 , 曹玲飞 , 陈畅

材料热处理学报 doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2007.02.009

采用机械合金化法制备了Cu-0.5wt%Nb纳米弥散强化铜合金。通过金相、透射电镜观察了该合金粉末态、冷轧态及不同温度退火后合金的组织结构变化。通过测量该合金不同状态的硬度及相对电导率,实验结果表明,其冷轧态硬度较高(可达160kg/mm2),随退火温度升高硬度呈缓慢下降趋势;900℃退火后,硬度仍可达91kg/mm2,表明此合金抗高温软化性能较好.此外该合金相对电导率最高可达89% IACS,这进一步说明利用机械合金化法制备的Cu-0.5wt%Nb合金具有优越的综合性能.

关键词: 机械合金化 , Cu-Nb合金 , 真空热压 , 退火 , 高强高导

不同制备工艺对ZnS光学性能的影响

方珍意 , 潘伟 , 祝海峰 , 张力强 , 肖红涛 , 李子涛

稀有金属材料与工程

分别用真空热压、H2S模式的化学气相沉积以及S模式的化学气相沉积3种工艺方法制备了红外透过性能良好的ZnS材料.比较了不同的工艺过程对ZnS显微结构的影响,并且分析了不同制备方法形成的缺陷对光学性能的影响.探讨了热等静压工艺改善光学性能的原因和机理.透过谱图的测试表明,S模式的化学气相沉积法制备的ZnS具有最高的可见光至远红外的透过率.对3种方法制备的ZnS分别进行了热等静压后处理,发现对材料的光学透过性能都有不同程度的提高.

关键词: ZnS , 真空热压 , 化学气相沉积 , H2S模式 , S模式

Yb∶YAG透明陶瓷的制备

王海丽 , 蒲瑞满 , 王震 , 沈德忠

人工晶体学报

采用溶胶-凝胶法制备了Yb3+掺杂浓度为5.0at%的Yb∶YAG超细粉体.利用真空热压和热等静压相结合工艺制备了尺寸为φ10 mm×2 mm的Yb∶YAG透明陶瓷.采用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)仪、扫描电子显微镜(Scanning electron microscope,SEM)和紫外/可见/近红外分光光度计对粉料的物相、透明陶瓷的显微结构和透过率进行了表征.XRD结果表明,前驱体经1000℃锻烧2 h后转变为纯YAG相,根据Scherrer公式计算出晶粒尺寸为38nm.断口SEM结果表明,陶瓷的平均晶粒尺寸为10 μM.样品1100 nm的透过率为81%,主吸收峰位于938 nm.

关键词: Yb∶YAG透明陶瓷 , 溶胶-凝胶法 , 真空热压 , 热等静压

机械活化热压制备CuCr50触头材料的组织与性能

鲁世强 , 胡春文 , 李鑫 , 王克鲁 , 董显娟 , 贺跃辉

稀有金属材料与工程

采用机械合金化(MA)活化CuCr50粉末,然后对MA粉进行真空热压制备出CuCr50触头材料.结果表明,CuCr50 MA粉为亚稳态过饱和固溶体,这种过饱和固溶体在随后的热压过程中发生脱溶现象.随脱溶程度的不同,CuCr50块体材料的组织与性能也发生相应的变化.由于MA活化作用,使得CuCr50 MA粉在较低的温度保压较短的时间内便获得了致密度高的块体材料,并且第二相Cr分布均匀,尺寸细小,其综合性能优于其它工艺方法获得的CuCr50触头材料.

关键词: 机械合金化 , 真空热压 , 触头材料 , 组织与性能

热压法制备Bi2Te3基热电材料的组织与性能

卢波辉 , 赵新兵 , 倪华良 , 吉晓华

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2004.03.004

采用真空单轴热压( HUP)方法制备了 Bi2Te3基热电材料.结果表明, HUP试样的密度在原始区熔材料的 97%以上.所有 HUP试样的剪切强度都在 21MPa以上,与区熔 Bi2Te3基材料 (001)解理面的强度相比,提高 4倍左右.电学性能测试发现, HUP试样的电学性能低于区熔试样,其原因被认为主要是由于在材料粉碎和热压过程中,有效载流子浓度发生了变化.实验发现,相对于区熔试样, p型 HUP试样的最佳工作温度向低温方向偏移,而 n型 HUP试样的最佳工作温度向高温方向移动.

关键词: 半导体材料 , 热电材料 , 真空热压 , Bi2Te3 , 强度

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