惠迎雪
,
樊慧庆
,
刘卫国
材料导报
采用真空热蒸发技术在单晶硅基底上沉积PVDF薄膜.通过分析阻蒸温度对薄膜沉积速率和真空室气压变化的影响研究了PVDF镀膜过程.同时利用傅立叶变换衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)、X射线衍射(XRD)和差热分析(DSC)对薄膜的晶型结构进行了表征分析,结果发现,真空热蒸发技术可制备具有高度取向性的α晶相PVDF薄膜,且薄膜中不舍C=C键.相比于PVDF树脂粉末,所得薄膜的结晶度明显增大而分子量显著减小,实现了PVDF薄膜的低维化制备.
关键词:
PVDF薄膜
,
取向生长
,
真空热蒸发
,
α相
,
薄膜结构
孙秀菊
,
李海玲
,
励旭东
,
任丙彦
,
周春兰
,
赵雷
,
王文静
人工晶体学报
采用真空热蒸发技术,制备出了性能优良的MgF2/ZnS双层减反射薄膜.采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪对薄膜的形貌以及结晶形态进行分析,采用椭圆偏振仪测试薄膜的折射系数及厚度,利用反射谱对双层减反射薄膜的减反射性能进行了表征.研究表明:衬底温度为200 ℃时薄膜附着力、结晶态良好;蒸发速率影响薄膜的表面形态;MgF2/ZnS厚度为110 nm/35 nm时具有最佳减反射效果.
关键词:
ZnS薄膜
,
MgF2薄膜
,
减反射薄膜
,
真空热蒸发
陈海力
,
沈鸿烈
,
唐正霞
,
杨超
,
江丰
材料导报
采用真空热蒸发和磁控溅射两种方法沉积铝膜,通过对Glass/Si/SiO2/Al叠层结构进行铝诱导晶化(AIC)制备多晶硅薄膜.采用X射线衍射谱(XRD)、光学显微镜和拉曼光谱对样品进行分析,研究两种铝膜沉积工艺对AIC法制备多晶硅性能的影响.结果表明,采用两种方法沉积的铝膜均能诱导出(111)高度择优取向的大晶粒尺寸(～100μm)的多晶硅薄膜,但与磁控溅射沉积相比,真空热蒸发沉积的铝膜诱导出的多晶硅薄膜应力更小、结晶质量更高,且晶化速率更快.
关键词:
铝诱导晶化
,
多晶硅薄膜
,
磁控溅射
,
真空热蒸发
杨晶
,
李健
,
白海平
,
卢建丽
材料科学与工程学报
采用真空热蒸发法,在玻璃衬底上制备纳米SnS2薄膜.研究不同Sn和S配比及不同热处理条件对薄膜性能的影响.实验给出采用Sn:S=1:1.5摩尔比混合粉末制备的薄膜,经T=430℃,t=40min氮气保护热处理可获得性能良好的SnS2纳米多晶薄膜.薄膜呈n型、表面结构较致密,平均晶粒尺寸为77nm,直接光学带隙约为2.02ev.
关键词:
真空热蒸发
,
热处理
,
SnS2纳米薄膜
,
微结构、光学特性
刘绰
,
张雷
,
马蕾
,
彭英才
材料热处理学报
采用真空热蒸发方法,以高纯CdTe粉末为蒸发源,在石英和AZO玻璃上沉积了厚度约为485 nm的CdTe薄膜,随后在N2氛围中于250～400℃条件下进行后退火处理.利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、分光光度计和数字源表测量了不同退火温度条件下样品的结构、光学和电学特性.结果表明,所制备的薄膜为立方闪锌矿结构,择优取向为< 111>晶向,提高退火温度可以促进薄膜结晶;光学测量结果证实,随退火温度升高,薄膜样品的光学带隙由1.527 eV减小到1.496 eV;电流-电压测试表明,薄膜电导率随退火温度的增加,由0.97 μS/cm增大至87.3 μS/cm.
关键词:
真空热蒸发
,
CdTe薄膜
,
退火处理
,
结构特性
