李忠贤
,
李蓉萍
,
吴蓉
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2011.01.011
利用真空蒸发的方法制备ZnTe多晶薄膜,并采用双源法对薄膜进行了稀土元素Dy的掺杂.用XRD、紫外可见分光光度仪对薄膜的性质进行了表征.结果表明,当原子配比Zn:Te=1:0.7,热处理温度T=500℃时,可制备较理想的ZnTe多晶薄膜.稀土Dy掺杂并未改变样品的物相结构,但使薄膜光吸收增大而光学带隙减小.
关键词:
ZnTe薄膜
,
光学特性
,
真空蒸发
,
稀土掺杂
刘永生
,
李蓉萍
,
邹凯
材料科学与工程学报
本文采用真空蒸发法在CdTe粉末中按不同比例掺入CdSe粉末,选择合适的工艺条件,在玻璃衬底上制备了性能稳定的CdSexTe1-x三元化合物薄膜.利用XRD、紫外-可见分光光度计、XPS对薄膜的结构、光学性能、组成成分等进行了表征.XRD测试结果表明,薄膜均为立方闪锌矿结构的CdSexTe1-x三元化合物,并沿(111)晶面择优生长,晶格常数随x值增大而减小;透射光谱表明薄膜的吸收限随x值增大先向长波方向移动,x=0.64时达到最大值,然后向短波方向移动;XPS分析表明,薄膜的主要成分为CdSexTe1-x三元化合物,随着x值增大,Se、Te、Cd三种元素的特征峰均向高结合能方向偏移.
关键词:
真空蒸发
,
CdSexTe1-x薄膜
,
XRD
,
XPS表征
郭余英
,
史伟民
,
魏光普
,
邱永华
,
夏义本
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.026
硫化锡(SnS)具有很高的光吸收系数和合适的禁带宽度,又无毒性,因此在太阳电池等光电器件中具有潜在应用价值.本文用真空蒸发法制备掺杂的SnS薄膜,掺杂源有Sb、Sb2O3、Se、Te、In、In2O3、Se和In2O3的混合物.对各种掺杂SnS薄膜的厚度、电流-电压(I-V)特性等进行了表征,并计算了其电阻率和光电导与暗电导的比值(Gphoto/Gdark).结果表明较有效的掺杂源是Sb,Sb掺杂的薄膜电阻率比纯薄膜的电阻率降低四个数量级,Gphoto/Gdark增加约一倍.同时,研究了Sb掺杂量对SnS薄膜电学性能的影响,表明Sb的最佳掺入量约为1.3wt%～1.5wt%.
关键词:
硫化锡
,
太阳电池
,
掺杂
,
真空蒸发
,
电阻率
郭德豪
,
范圣红
,
陈蔡喜
,
罗迎花
,
牛艳丽
,
蔡志华
,
张立茗
电镀与涂饰
介绍了一种以太阳能和水源热泵为热源,由水射泵产生真空,使电镀废液低温蒸发浓缩,并将蒸发热能全部循环回收,浓缩的镀液重新回用于镀槽,从而实现热能和物料全循环的装置.阐述了该装置的原理,分析了其运行可靠性和节能效益.着重描述了太阳能-热泵热水系统的组成、设计要点及工作模式.介绍了该设备在氰化滚镀银废水处理及回收中的应用.
关键词:
电镀废水
,
处理
,
设备
,
真空蒸发
,
太阳能集热系统
,
热泵
吴淼
,
胡明
,
张之圣
,
刘志刚
,
温宇峰
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.01.004
以V2O5粉末为原料,采用真空蒸发结合真空热处理方法制备VOx薄膜,运用XRD(X射线衍射)和SEM(扫描电子显微镜)技术分析了基片材料、基片温度、真空热处理工艺对氧化钒薄膜结晶状态、物相组成和表面形貌的影响,在基片温度为200℃和400℃时所沉积的氧化钒薄膜在室温附近的电阻温度系数(TCR)分别达到-3%,并发现随着基片温度的升高,薄膜在室温附近的电阻率降低,TCR绝对值减小.
关键词:
V2O5
,
真空蒸发
,
VOx薄膜
,
电阻温度系数
郭余英
,
史伟民
,
魏光普
,
夏义本
人工晶体学报
采用真空蒸发法在玻璃衬底上沉积硫化亚锡(SnS)薄膜,并对不同衬底温度沉积的薄膜性能进行了探讨.对薄膜的结构、表面形貌、成份、电学特性和光学特性进行了表征.实验发现,最佳的衬底温度为150℃;制备的SnS薄膜为多晶的斜方晶系,晶粒大小约为0.5 μm,Sn和S元素的化学计量比接近1,导电类型为P型,暗电导率、光电导率分别为 0.01 Ω-1·cm-1 和 0.08Ω-1·cm-1,禁带宽度为1.402 eV.
关键词:
太阳能电池
,
硫化亚锡薄膜
,
真空蒸发
,
衬底温度
梁小燕
,
闵嘉华
,
王长君
,
桑文斌
,
顾莹
,
赵岳
,
周晨莹
稀有金属材料与工程
系统研究在空气气氛下热处理温度对真空蒸发法制备Au/CdZnTe电极接触特性的影响.结果表明,在353～373 K温度范围内进行热处理可以获得更优化的电极接触性能,测试得到电极与CdZnTe接触势垒较低,接触电阻较小,欧姆系数最佳,并且不会破坏CdZnTe体材料本身的性能.而当热处理温度高于400 K时,Au电极沉积表面形貌明显变差,CdZnTe样品的漏电流大幅增加.这可能是由于随着热处理温度的增加,CdZnTe体材料表面的Cd升华加剧,产生大量的Cd空位引起的.
关键词:
CdZnTe
,
M-S接触
,
热处理
,
真空蒸发
,
电学性能
邹凯
,
李蓉萍
,
刘永生
,
田磊
,
冯松
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2015.03.007
采用真空蒸发工艺在玻璃衬底上制备了ZnTe和掺Sb-ZnTe多晶薄膜,并在氮气气氛中对薄膜进行热处理.分别利用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计、霍尔效应测试仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、元素组成以及光学、电学性能进行表征,研究Sb掺杂量和热处理对薄膜性能的影响.结果表明:未掺杂薄膜为沿(111)晶面择优生长的立方相闪锌矿结构,导电类型为P型.Sb掺杂并未改变ZnTe薄膜晶体结构和导电类型,但衍射峰强度降低;Sb含量直接影响着Sb在ZnTe中的存在形式,掺Sb后抑制了薄膜中Te和Zn的结合,使薄膜中Te的含量增加;室温下薄膜的光学透过率和光学带隙取决于掺Sb浓度和退火温度,并且掺Sb后ZnTe薄膜的载流子浓度显著增加,导电能力明显增强.
关键词:
ZnTe薄膜
,
Sb掺杂
,
真空蒸发
,
光学性能
,
电学性能
