李光平
,
汝琼娜
,
李静
,
何秀坤
,
王寿寅
,
陈祖祥
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.017
研究了扫描光致发光光谱(PL mapping)在表征半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料中的应用,实验结果表明SI-GaAs晶片的PL强度及mapping均匀性对器件性能有着十分密切的关系,所以在为制备器件筛选优质的SI-GaAS材料时,除了电阻率、迁移率、位错密度、碳含量、EL2浓度及其均匀性、晶片表面质量外,PL mapping 也是表征材料质量的一个重要参数.
关键词:
光致发光光谱
,
砷化镓材料
,
表征材料
,
器件
李永富
,
祁海峰
,
王青圃
,
张行愚
,
刘泽金
,
王玉荣
,
魏爱俭
,
夏伟
,
张飒飒
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.05.018
利用532 nm连续激光对掺Si的n型砷化镓材料进行作用,材料的晶轴方向为〈100〉偏〈111A〉方向15°.实验观察到,连续激光与材料相互作用过程中,材料作用表面的反射光在观察屏上形成环状结构,认为是由夫琅和费衍射产生的,并首次提出将衍射作为探测材料损伤的方法.实验测得砷化镓的阈值损伤功率密度为2.56×105W/cm2.利用温度场的热传导方程计算获得材料的损伤阈值时间与入射光功率密度的关系曲线,并与实验曲线进行了比较.
关键词:
激光技术
,
激光损伤阈值
,
夫琅和费衍射
,
砷化镓材料
,
532 nm连续激光
,
热传导
陈坚邦
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.03.011
综述世界GaAs材料器件的产销情况、市场前景及GaAs材料的发展趋势. 预测2000年GaAs IC用于通讯将占GaAs IC市场的71%, 并以年均增长率15%的速度发展. 发光器件1999年增长12%, 其中激光器件增幅最大, 达16%. GaAs材料电子器件和光电器件的比例约为2∶3. 对大直径 (Φ76 mm以上)、低位错、低热应力、高质量的GaAs单晶有较大的需求量. VB、 VGF和VCZ是满足这些要求的最佳GaAs单晶生长方法.
关键词:
砷化镓材料
,
器件
,
市场
