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半导体纳米晶体在薄膜晶体管中的应用

栾庆彬 , 皮孝东

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.21.001

以非晶硅薄膜为核心的薄膜晶体管技术目前已经相当成熟,在该技术投入使用并且得以很好地优化之后,要想进一步提高薄膜晶体管的性能,就有必要开发新型的薄膜材料.近年来,由半导体纳米晶体构成的新型薄膜材料在晶体管中的应用越来越受到人们关注.利用半导体纳米晶体制备的薄膜晶体管有着较高的载流子迁移率和开关电流比,同时在其制备过程中可以在较低温度下大面积成膜,能够使用塑料等柔性衬底,因而具有明显的成本优势,发展前景广阔.着重介绍了几种颇具潜力的半导体(如硒化镉、碲化汞、硒化铅、锗、硅)纳米晶体在制备薄膜晶体管方面的应用.

关键词: 薄膜晶体管 , 有源层 , 半导体 , 纳米晶体 , 硒化镉 , 碲化汞 , 硒化铅 , ,

直读光谱法测定球铁中硅锰磷铬镍钼钒钛

梁启华

冶金分析 doi:10.3969/j.issn.1000-7571.2000.03.020

通过改进取样模,确定合适的分析条件,编制了球铁分析程序,用于球铁分析,结果令人满意.

关键词: 球铁 , , , 磷、铬 , , , , , 直读光谱法

高耐蚀性锌铁低磷三元合金电镀工艺的开发与研究第二部分——低铬彩钝工艺及钝化液、钝化层的性能

徐关庆 , 储荣邦 , 罗家柱

电镀与涂饰

与锌铁低磷三元合金电镀工艺相配套的低铬彩色钝化液主要由13 g/L CrO3、10 g/L活化剂和适量含硅化合物组成.钝化膜封闭的工艺条件为:有机硅溶液20 mL/L,甘油40 mL/L,表面活性剂少许,pH3~5,室温,浸泡时间30S.采用扫描电镜和透射电镜分析了钝化膜的微观形貌.通过在5%(质量分数)NaCl溶液中的极化曲线测量以及中性盐雾试验,考察了钝化膜的耐蚀性.结果表明,含硅钝化膜耐80℃热水浸泡3 min及耐120℃热冲击1h的性能优于常规钝化膜.加入稳定剂可使含硅钝化液存放4个月而不发生凝胶现象.封闭后,钝化膜的微裂纹中填充了纳米SiO2,其憎水性明显提高.

关键词: 锌铁磷合金 , 电镀 , , 彩色钝化 , 封闭 , 耐热冲击 , 中性盐雾腐蚀 , 形貌

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定铌铁中铌钛钽硅铝磷

邵海舟 , 刘成花

冶金分析 doi:10.3969/j.issn.1000-7571.2011.12.012

研究了在60℃的温度下用硝酸和氢氟酸溶解试样,然后用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)同时测定铌铁中铌、钛、钽、硅、铝、磷的方法.为消除基体元素对被测元素的测定影响和克服在绘制校准曲线时因使用的铌铁标样中待测元素含量范围过窄而致使试样中的被测元素落在校准曲线线性范围之外,使用铌铁标样打底,加入适量标准系列溶液建立校准曲线.样品中高含量的铌采用高精密度测量法,从而提高了测定结果的准确性.本法用于测定铌铁标样中的铌、钛、钽、硅、铝和磷含量,测定值与国标法相符,测定结果的相对标准偏差小于1.5%.

关键词: 电感耦合等离子体原子发射光谱法 , 铌铁 , , , , , ,

ICP-AES测定钛合金中硅钒铁铝镍钼铬

成勇

稀有金属材料与工程

建立了电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)直接同时测定钛合金中合金元素或微量杂质硅钒铁铝镍钼铬的分析方法.采用氢氟酸和硝酸混合试剂并且在室温或70℃水浴控制加热条件下消解样品,从而避免了待测元素的挥发损失以及确保了高浓度钛基体在低酸度介质中也不会发生水解反应.试验了钛基体和共存元素对测定的光谱干扰影响,采取以钇作为内标元素的内标校正法,并且优选了待测元素分析谱线、内标校正谱线、同步背景校正位置以及ICP光谱仪工作条件,有效地消除基体钛导致的物理干扰以及改善方法精密度和检出限水平;方法实际应用结果表明:方法的检出限为10~27 μg/L,背景等效浓度5~38 μg/L,相关系数r≥0.9992;回收率95.0%~105.0%; RSD≤2.27%.

关键词: 电感耦合等离子体发射光谱 , 钛合金 , , , , , , ,

辉光放电光谱法测定因瓦合金中14种元素

刘洁 , 葛晶晶 , 孙中华

冶金分析 doi:10.13228/j.boyuan.issn1000-7571.009946

采用11种与因瓦合金成分含量相接近的镍基合金标准样品绘制校准曲线,建立了基本不需要样品处理即可对因瓦合金中14种元素( C、Si、Mn、P、S、Ni、Cr、Mo、Cu、Al、Nb、Ti、Co、Fe)同时测定的辉光放电光谱法。确定辉光光谱仪检测因瓦合金的最佳条件:模块电压和相电压分别为8.22 V和3.82 V;功率为70 W;冲洗时间为80 s;积分时间为60 s。以各元素质量分数为横坐标,其对应的光谱强度为纵坐标绘制校准曲线,各元素校准曲线的相关系数均在0.99以上。采用实验方法对因瓦合金实际样品进行分析,结果显示:Cr、Ni、Mo、Ti、Fe的质量分数均大于0.3%,各元素测定值的相对标准偏差(RSD,n=11)均不大于1%;C、Si、Mn、P、S、Cu、Al、Nb、Co的质量分数均小于0.3%,各元素测定值的RSD(n=11)均小于5%。将实验方法应用于对因瓦合金样品中14种元素的测定,测得结果与滴定法测定Ni和Fe、高频燃烧红外吸收法测定C和S、电感耦合等离子体原子发射光谱法测定Si、Mn、P、Cr、Mo、Cu、Al、Nb、Ti和Co元素的结果基本一致。

关键词: 辉光放电光谱法 , 因瓦合金 , , , , , , ,

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定铝镁环中硅锰铁钛铜磷

李存根 , 关漫漫 , 郑建道 , 李建国 , 王丽君

冶金分析 doi:10.13228/j.boyuan.issn1000-7571.009610

以盐酸和硝酸溶解铝镁环样品,选择Si 212.412 nm、Mn 257.610 nm、Fe 238.204 nm、Ti 334.940 nm、Cu 324.752 nm、P 187.221 nm作为分析线,采用基体匹配法绘制校准曲线消除基体效应的影响,使用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定铝镁环中硅、锰、铁、钛、铜、磷.各待测元素校准曲线线性相关系数均大于0.999.方法中各待测元素的检出限为0.001 1~0.020 μg/mL,测定下限为0.003 7~0.067 μg/mL.按照实验方法测定样品中硅、锰、铁、钛、铜、磷,结果的相对标准偏差(RSD,n=6)为0.62%~3.1%;各元素的回收率在89%~116%之间.按照实验方法测定样品中硅、锰、铁、钛、铜、磷,测定值与分光光度法及原子吸收光谱法测定结果相吻合.

关键词: 电感耦合等离子体原子发射光谱法 , 基体匹配 , 铝镁环 , , , , , ,

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定含碳质钒矿石中硅铝铁钒磷

王干珍 , 汤行 , 叶明 , 严慧 , 易晓明 , 郭腊梅

冶金分析 doi:10.13228/j.boyuan.issn1000-7571.009798

样品采用过氧化钠在650℃熔融20 min,经盐酸酸化后,选取Si 251.612 nm、Al237.312 nm、Fe 259.837 nm、V 292.402 nm、P 213.618 nm为分析谱线,使用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)同时测定硅、铝、铁、钒和磷,从而建立了含碳质钒矿石中硅、铝、铁、钒、磷的测定方法.结果表明,不单独进行灼烧除碳而采用直接碱熔的方法处理样品,对此类型样品各元素测定结果没有影响;当样品称样量为0.2g时,加入2 g过氧化钠可以使样品熔解完全;而硅需在样品处理后24 h内测定,以免导致结果偏低.各元素质量分数在一定范围内与其发射强度呈线性,校准曲线的线性相关系数r=0.999 9;方法中各元素的检出限为18~117 mg/kg.实验方法用于测定两个含碳质钒矿石样品中硅、铝、铁、钒、磷,结果的相对标准偏差(RSD,n=12)在1.0%~5.4%之间.按照实验方法测定7个含碳质钒矿石样品中硅、铝、铁、钒、磷,结果与采用其他方法的测定结果相吻合.

关键词: 碱熔 , 电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES) , 含碳质钒矿石 , , , , ,

火花源原子发射光谱法测定海绵钛样品及样品制备方法的影响

俞超 , 汪永喜 , 蒋增辉 , 曾次元

冶金分析 doi:10.13228/j.boyuan.issn1000-7571.009570

从样品制备评价和校准曲线的建立两方面开展对火花源原子发射光谱法测定海绵钛中Si、Fe、Mn、Mg等元素的实验研究.主要考察了样品表面的均匀性、车削纹和车削深度对测定结果的影响.研究表明,保持激发表面平整、光洁、无明显车削纹(表面粗糙度Ra≤1.6μm)、车削深度控制在12 mm以内,可获得相对稳定的测定结果.利用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定并经化学分析法确认后定值的样品绘制校准曲线避免了绘制曲线的标样与实际样品存在基体不匹配的问题,拓展了火花源原子发射光谱仪中内置的Si、Fe、Mn等曲线的测定范围,并建立了Mg的校准曲线,各曲线相关系数R2≥0.995.采用实验方法对海绵钛样品中Si、Fe、Mn、Mg进行测定,并与ICP-AES法进行对照,结果吻合性良好.t检验结果表明,实验方法与ICP-AES法无显著性差异.

关键词: 火花源原子发射光谱法 , 海绵钛 , , , , , 样品制备评价 , 校准曲线建立

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