李世斌
,
宋士华
,
金志浩
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2006.02.003
在氮气氛中于1650-1850℃的温度范围内对硅/碳化硅材料进行高温处理.通过光学显微镜、扫描电镜和X射线衍射方法,研究反应烧结碳化硅材料的中各相组织及成分随热处理温度的变化规律.结果表明,晶间粒状次生β相SiC首先以溶解-析出形式发生再结晶,而后沉积在α相碳化硅上,通过α-SiC相基面的不断长大,完成β相向α相的转变.从能量的观点在理论上探讨了反应烧结碳化硅中β→α的相转变机理.
关键词:
硅/碳化硅
,
热处理
,
显微组织
,
相组分
李世斌
,
马明亮
,
金志浩
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2006.09.006
分别于真空和氮气气氛中,在1650,1750和1850℃对硅/碳化硅进行高温处理,通过光学显微镜、扫描电镜和X射线衍射仪研究了硅/碳化硅的组织变化.结果表明:氮气氛下,α子晶在界面能驱动下,通过基面以层状形式不断聚合长大,最终以完全"吞食"所包裹的β-SiC来完成相转变;在真空条件下,除了前一种方式外,还有一定的蒸发-凝聚烧结机制存在,两者同时作用使得比氮气条件下有较快的β-SiC转化速度.转化驱动力随温度的上升而提高.1 850℃氮气环境下处理的材料仍有少量β相存在,而真空1 750℃处理后就能得到单一α相的多孔材料.
关键词:
硅/碳化硅
,
热处理
,
显微组织
