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垂直沟道器件的研究与进展

刘金华 , 黄如 , 张兴 , 周发龙

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.027

介绍了垂直沟道器件的常见结构和工艺,分析了垂直沟道器件的最新进展以及垂直沟道器件制作工艺中的最新技术,详细讨论了垂直沟道器件的性能,并分析了垂直沟道器件的优点以及存在的问题.

关键词: 垂直沟道器件 , 硅台刻蚀 , 外延 , MOSFET