卞铁荣
,
李虹艳
,
卢正欣
,
高坤
,
井晓天
电镀与涂饰
doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2006.09.004
采用镶嵌靶、通过直流磁控溅射法在不加热的情况下于硅基片上制备了Ti-49.57%Ni-5.6%Cu合金薄膜.XRD图谱表明,该薄膜为非晶态.对其进行的退火晶化后的形状记忆性能研究发现:薄膜分别经550℃×0.5 h、650℃×0.5 h晶化处理后无残余塑变存在下的最大恢复应力、最大恢复应变分别为180 MPa、2.7%;90 MPa、1.4%.
关键词:
硅基片
,
直流磁控溅射
,
TiNiCu薄膜
,
非晶态
,
晶化
,
退火
,
形状记忆
,
恢复应力
,
恢复应变
付兴华
,
傅正义
,
丁碧妍
,
单连伟
,
韦其红
,
侯文萍
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.02.018
采用HPAgilent4294A阻抗分析仪、XRD、TEM等测试方法研究了不同电阻率硅片对Sr0.5Ba0.5TiO3(SBT)薄膜结构与性能的影响.在测试频率为1KHz时,在高阻硅片上生成的SBT薄膜的相对介电常数εr,介质损耗tanδ分别为100.54,0.060,材料的介电性能相对提高,并表现出较好的频散特性;最大εr温度点Tm(居里温度)稍微移向高温.在高阻硅片上制备的SBT薄膜易生成四方钙钛矿结构,薄膜表面无裂纹,孔洞少,比较致密,晶粒的平均粒径均为80nm,分布均匀;晶格条纹间距约为0.296nm,晶界2侧的晶粒取向是随机的.
关键词:
硅基片
,
SBT薄膜
,
介电性能
,
结构特征
