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中国硅晶体专利现状分析

王晓燕 , 童晓晨 , 祝鹏 , 佟林松 , 于霞 , 吴静 , 张金毅

材料导报

采用国家知识产权局的专利检索与服务系统及中国专利检索系统文摘数据库,并以中国专利文献检索系统为补充,采集在我国申请的硅晶体专利文献.对专利类型、申请量年度分布、地域分布、重点技术领域分布、主要申请人、PCT专利申请以及专利审批结果等情况进行统计分析,以期揭示我国硅晶体专利申请的整体发展趋势.

关键词: 硅晶体 , 专利 , 中国专利检索系统文摘数据库 , 分析

硅熔体中碳化硅熔解与硅晶体中碳化硅生长

周蔺桐 , 章爱生 , 尹传强 , 刘小平 , 周浪

材料科学与工程学报

工业生产的太阳能电池用多晶硅锭内部常出现碳化硅夹杂,影响太阳能电池的转换效率,特别是严重威胁硅片的切割生产过程。本文研究了硅熔体中碳化硅熔解与硅晶体中碳化硅沉淀生长特性。在熔解实验中发现:即使在碳显著过饱和的情况下,碳化硅仍会熔解在1450℃的硅熔体中,同时熔体中易形核处发生新的碳化硅颗粒析出。在1350℃下进行了硅料中碳化硅沉淀的固相生长实验,结果表明晶体硅中碳化硅沉淀的高温固态生长十分缓慢。这一特性得到理论计算证实,它表明固相生长不可能是多晶硅锭中出现大颗粒碳化硅的原因。

关键词: 硅熔体 , 硅晶体 , 碳化硅

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