欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(14)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

硅片塑性形变与位错

谢书银 , 袁鹏 , 万关良 , 李励本 , 张锦心

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.03.012

通过1200℃、1.5 h急冷热处理实验, 研究了硅中位错对高温塑性形变的影响及热处理过程中位错密度的变化. 实验结果表明, 硅中原有位错密度越大或热处理急冷温度越高, 均使塑性形变更加严重. 位错密度为0.4~2×103 cm-2的硅片的弯曲度变化是无位错硅片的3倍多, 1200℃急冷产生的形变量是770℃急冷的4倍. 无位错硅片在高温热处理中会产生大量位错,且急冷温度越高, 产生的位错越多. 热处理中区熔硅片容易在边缘产生位错星形结构.

关键词: 硅片 , 塑性形变 , 位错 , 热处理

硅单晶片镜面吸附物吸附状态的研究

刘玉岭 , 刘钠 , 曹阳

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.02.002

提出了新抛光硅片镜面吸附物吸附动力学过程和优先吸附数学模型及吸附物吸附状态控制机理.

关键词: 硅片 , 吸附 , 模型 , 动力学

适用于硅晶体多线切割的线切割液研制

熊次远 , 李庆忠 , 钱善华 , 闫俊霞

人工晶体学报

本文通过硅片旋转磨损试验模拟线切割过程,以评价切割液的切割性能.首先,通过对比试验选出线切割液的主要组份;接着,通过正交试验优化各组份的含量并得到最优配方;最后,在相同条件下将最优配方与某市场切割液进行比较.结果表明:自制最优配方切割液MRR为7820 nm/min,Ra为9.12 nm.与市场切割液相比MRR稍低,但表面粗糙度要好.分析原因是由于新配方切割液在分散性和润滑性方面有所提高,而且碱性变强,加大了化学作用,有效的提高了晶片表面质量.

关键词: 硅片 , 多线切割 , 线切割液 , 材料去除率(MRR)

双面抛光工艺中压力对300 mm硅片表面形貌的影响

库黎明 , 李耀东 , 周旗钢 , 王敬

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.02.002

利用非接触式光学轮廓仪研究了双面抛光过程中不同压力下300mm硅片表面形貌的变化,并通过Stribeck曲线进行了探讨.结果表明,双面抛光过程中机械作用的强度随着压力的变化而不同,从而影响抛光后的硅片表面形貌.当硅片表面与抛光垫之间的接触处于固-液混合接触区时,协调机械去除作用与化学腐蚀作用之间的关系,使之达到平衡,可以显著地降低硅片表面的微粗糙度和峰谷值.

关键词: 硅片 , 双面抛光 , 非接触式光学轮廓仪 , 表面形貌

直接键合硅片的三步亲水处理法及界面电特性

何进 , 陈星弼 , 王新

功能材料

亲水处理是硅片能否直接健合成功的关键.基于亲水处理的微观机理分析和不同清洗剂亲水处理的过程及效果,本文提出了独特的三步亲水处理法.这一方法既能顺利完成室温预键合,又能减少界面上非定形大尺寸SiO体的生成,避免了界面对电输运的势垒障碍,结果获得了理想的键合界面.

关键词: 硅片 , 键合 , 亲水处理 , 界面

单砝码配重法在调节硅片研磨均匀性上的应用研究

杨争雄 , 席凯伦 , 程伟 , 左文佳 , 杜晓辉 , 王凌云

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2012.04.022

为提高硅片研磨的均匀性,提出了一种通过改变调节砝码位置的新方法.对单砝码配重法的原理、步骤及物理模型进行了详细的论述,并基于LabVIEW软件对该方法进行了可视化.在精密研磨抛光机上进行实验,并用膜厚仪进行均匀性测量.结果表明:在给定的条件下使9.9cm硅片的均匀性从单靠自重研磨的20μm提高到用配重法调节后的3μm,显著提高了硅片研磨的均匀性.单砝码配重法为解决硅片研磨均匀性问题提供了一种既精确又简便的方法.

关键词: 研磨 , 压强分布 , 均匀性 , 硅片 , 配重法

雾化施液抛光硅片位错的化学腐蚀形貌分析

壮筱凯 , 李庆忠

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.05.024

目的:研究硅片经雾化施液抛光技术加工后存在的位错缺陷。方法应用化学腐蚀法、光学方法分析硅片不同部位的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布,通过单因素实验研究雾化参数对位错形貌和位错密度的影响规律。在相同的工艺参数下,和传统抛光进行对比实验。结果雾化抛光硅片的平均位错密度为1.2×104/cm2,边沿处的位错密度小于其他区域。在相同的工艺参数下,雾化施液CMP的抛光液消耗量约为传统CMP的1/10,但硅片的位错腐蚀形貌和位错密度明显好于传统抛光,且蚀坑分布均匀分散,没有出现位错排等严重缺陷。通过增大雾化器的出雾量能有效改善硅片表层的位错缺陷。结论相对于传统抛光,雾化施液抛光技术能更加高效地去除硅片的位错缺陷。

关键词: 雾化施液 , 硅片 , 位错腐蚀坑 , 传统抛光 , 雾化参数

微水射流导引激光打孔的传热分析

詹才娟 , 李昌烽 , 王瑞 , 许世铎

工程热物理学报

微水射流导引激光加工是一种热影响区小,具有高加工精度的新型技术.本文基于有限体积法建立了微水射流导引激光束对硅片打孔过程的传热模型,将打孔过程分为三个阶段模拟其间的热量传递、相变过程和相边界的移动;探索了微水射流导引双脉冲激光打孔过程,进行了双脉冲不同延迟时间下的传热过程的数值模拟,得到了最佳延迟时间.结果表明:在初始加热阶段,高温区出现在表面以下区域;微水射流有强冷却作用并明显减小了热影响区;双脉冲激光的应用可以有效提高打孔的效率.

关键词: 微水射流导引激光 , 传热 , 硅片 , 双脉冲激光 , 打孔过程

硅片切割废砂浆的资源化利用现状

侯思懿 , 铁生年

硅酸盐通报

文中概述了近几年硅片切割废砂浆的资源化利用现状,涉及的回收技术包括聚乙二醇回收、硅的直接回收、硅的间接回收、碳化硅回收及切割废砂浆的直接回收.通过分析资源化利用存在的问题,指出以切割废砂浆为原料的直接回收技术不失为一种较好的大规模回收方法.

关键词: 硅片 , 切割 , 废砂浆 , 资源化利用

测试方法对硅片表面微粗糙度测量结果影响的研究

孙燕 , 李莉 , 孙媛 , 李婧璐 , 李俊峰 , 徐继平

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.06.024

随着大规模集成电路的快速发展, 硅片表面微粗糙度对于器件制造的影响也越来越受到人们的重视. 介绍了几种测量硅片表面微粗糙度的测试方法, 并将它们分成三类, 简单阐述了每一类测试方法的测试原理, 影响测试结果的因素, 从实际应用的角度详细阐述了这三类测试方法的适用情况、通过详细的测试数据及图形对这三类测试方法进行了分析, 并对这三类测试方法进行了比较. 最后简单介绍了纳米形貌和硅片表面微粗糙度之间的关系.

关键词: 表面微粗糙度 , 测量 , 硅片

  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 2
  • 下一页
  • 末页
  • 共2页
  • 跳转 Go

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词