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硫镓银单晶生长新方法探索

张伟 , 朱世富 , 赵北君 , 张建军 , 刘敏文 , 李一春

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.027

在同一安瓿中一次性合成、生长出了外形完整、无裂纹的AgGaS2单晶体,尺寸达φ10mm×20mm.并进行了X射线能谱元素分析,测定了AgGaS2多晶粉末衍射谱,以及单晶体的红外透射谱,同时得到了(112)、(024)面的X射线单晶衍射谱,结果表明生长的单晶体可用于器件研究.

关键词: 硫镓银 , 多晶合成 , 单晶生长 , 坩埚下降法

AgGaS2晶体生长成核研究

李一春 , 赵北君 , 朱世富 , 王瑞林 , 张伟 , 刘敏文 , 刘娟 , 陈宝军 , 张建军

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.024

本文在对红外非线性光学材料AgGaS2的DTA谱线进行分析的基础上,对AgGaS2的结晶习性进行了研究.对传统的Bridgman-Stockbarger法进行了改进,设计出新的三温区立式炉,炉内温度梯度达到生长晶体的要求.根据自发成核的几何淘汰理论,针对AgGaS2的结晶特点,设计出适宜的石英生长安瓿,形状能够满足AgGaS2晶体结晶习性的需要,成功地生长出完整性较好的尺寸达10mm×25mm的AgGaS2单晶体.

关键词: 红外非线性光学材料 , 硫镓银 , 晶体生长 , 温度梯度 , 安瓿设计

三温区坩埚下降法生长硫镓银晶体

张伟 , 朱世富 , 赵北君 , 刘敏文 , 李一春

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.04.009

本文通过对硫镓银单晶生长习性的分析研究,设计组装了三温区单晶炉,采用三温区坩埚下降法生长出了外形完整、无裂纹的AgGaS2单晶体,尺寸达10mm×25mm.实验测定了AgGaS2晶体的差热分析曲线和红外透射谱,以及单晶{112}解理面的X射线衍射谱,结果表明生长晶体的质量较高.

关键词: 硫镓银 , 单晶体 , 三温区 , 坩埚下降法

硫镓银晶体(112)面蚀坑形貌研究

杨胜伟 , 朱世富 , 赵北君 , 陈宝军 , 袁泽锐 , 樊龙

人工晶体学报

本文报道了一种能在室温下对硫镓银晶体(112)面进行择优腐蚀的新腐蚀液配方,采用新腐蚀液对改进的Bridgman法生长的AgGaS2晶体进行腐蚀,用扫描电镜对蚀坑进行了观察,得到了清晰的(112)面蚀坑形貌,形状为三角锥形.初步解释了蚀坑的形成原因.AgGaS2晶体低指数的{100}面的腐蚀速度较慢,在腐蚀过程中逐渐显露出来,最终使晶体(112)面呈现出三角锥形蚀坑形貌.

关键词: 硫镓银 , 单晶体 , 蚀坑形貌 , SEM观察

石英安瓿下降法生长硫镓银晶体的研究

袁泽锐 , 朱世富 , 赵北君 , 陈宝军 , 何知宇 , 杨胜伟

人工晶体学报

分析了硫镓银晶体的反常热膨胀,主要是由于晶体结构中Ag,Ga,S三种原子形成的四面体随着温度变化发生了畸变;通过采用改变生长安瓿的直径和壁厚,并在生长安瓿外面加一层套管的方法来减小晶体在降温过程中的反常热膨胀作用,有效避免了反常热膨胀可能造成的晶体破裂现象,生长出了完整性较好的大尺寸硫镓银单晶体.

关键词: 硫镓银 , 黄铜矿结构 , 晶体生长 , 反常热膨胀 , 石英安瓿下降法

AgGaS2晶体生长过程中的过冷度研究

刘娟 , 赵北君 , 朱世富 , 张伟 , 张建军 , 刘敏文 , 李一春 , 陈宝军 , 黎明

功能材料

根据熔体生长系统中相变驱动力的基础理论,针对AgGaS2过冷度较大的特点,采用自发成核后升温熔料、下降安瓿后上提熔料以及加类籽晶等工艺研究了AgGaS2晶体生长过程中因过冷度大而难于生长较大尺寸单晶体的问题,生长出了外形完整、无裂纹的尺寸达φ15mm×20mm的较高质量AgGaS2单晶体.

关键词: 硫镓银 , 单晶生长 , 过冷度

硫镓银晶体热分析动力学

吴小娟

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2016.03.028

本文对AgGaS2晶体的结晶过程进行了热分析动力学研究,获得了“动力学三因子”.利用动态多重扫描速率法获得的三个不同升温速率下的晶体结晶动力学参数,采用微分法Kissinger模型计算出AgGaS2晶体结晶活化能为515.78KJ/mol,指前因子lnA为51.06,积分法FWO计算出结晶活化能为509.80kJ/mol,并运用普适积分法逻辑推导出AgGaS2晶体结晶的最概然反应机制方程为Aurami方程Ⅱ.这对于了解AgGaS2晶体的结晶动力学特性,生长大尺寸、高质量的AgGaS2晶体具有非常重要的意义.

关键词: 硫镓银 , 热分析动力学 , 动力学三因子

AgGaS2多晶合成工艺改进研究

吴小娟 , 赵欣

人工晶体学报

按同成分熔化点配料,采用改进了合成温控条件的双温区气相输运法成功合成出AgGaS2多晶原料,通过精确控温,有效避免了反应过程中由S蒸汽压过大引发的合成石英安瓿炸裂,提高了AgGaS2多晶合成的质量和成功率.经过XRD、DSC测试分析,结果表明:经改进方法合成的AgGaS2多晶材料是高纯单相、均匀致密的,为高质量AgGaS2单晶的生长提供了优质原料.

关键词: 硫镓银 , 多晶合成 , 双温区

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