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垂直布里奇曼法生长碘化铅单晶体

赵欣 , 金应荣 , 朱兴华

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2006.04.024

碘化铅(PbI2)晶体的平均原子序数较高,有较宽的禁带宽度,作为一种新型室温核辐射探测器材料有着广阔前景.以高纯Pb和I2单质为原料,采用两温区气相输运法(TVM)成功合成出单相PbI2多晶原料,并以此为原料,用垂直布里奇曼法(VBM)生长了3种不同颜色的PbI2单晶体.研究表明:晶体生长工艺参数对晶体的质量有重要影响,适当调整温度场和安瓿在生长炉中的位置,可有效地避免或减轻晶体富碘现象,从而生长出优质的黄色PbI2单晶体.

关键词: 碘化铅 , 气相输运法 , 垂直布里奇曼法 , 多晶体 , 单晶体生长

应变对单层碘化铅的能带及光电导率影响的第一性原理研究

郝东 , 朱世富 , 赵北君 , 朱兴华 , 何知宇 , 杨定宇 , 孙辉

人工晶体学报

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势方法,研究了双轴拉应变下碘化铅单层晶体的电子结构和光电导性质.结果显示,其禁带宽度随拉应变增加而略呈线性下降趋势.对应变引起的光电导率的变化进行分析,表明双轴应变能使光电导的峰值略微红移.进一步分析了单层碘化铅晶体的能态密度,解释了单层碘化铅晶体能带结构改变的机制.

关键词: 碘化铅 , 应变 , 禁带宽度 , 光电导率 , 第一性原理

PbI2掺杂对高温高压合成PbTe1.04合金电学性质的影响

郭建刚 , 马红安 , 宿太超 , 董楠 , 贾晓鹏

功能材料

通过高温高压方法,成功地合成出了立方相(PbTe1.04)100-y(PbI2)y(0≤y≤ 0.065)体热电材料.在常温常压下,对样品的一系列电学性质进行了测试与研究.结果表明,随着掺杂量的增加,Seebeck系数的绝对值和电阻率均显著地减小.当y=0.015时,热电材料的功率因子达到最大值24.2μW/(cm·K2),它远远大于常压下合成PbTe掺杂PbI2的功率因子.以上结果说明,高温高压结合微量掺杂的方法可以有效地提高PbTe材料的电学输运性能.

关键词: 碲化铅 , 碘化铅 , 热电材料 , 高温高压

碘化铅单晶体生长工艺分析

赵欣 , 金应荣 , 朱兴华 , 贺毅 , 邱春丽

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2006.04.037

在坩埚下降法生长PbI2单晶体的过程中,如何解决晶体中的富碘问题是一个研究关键.本文采用坩埚下降法生长出了三种不同颜色的富碘PbI2单晶体.实验中发现:通过合理的选择坩埚在温场中的生长位置,可最大限度的减轻晶体富碘现象,分析了相关工艺,得出了最优工艺方案.结果表明:在适当的工艺条件下,坩埚下降法设备简单,易于操作,是生长PbI2单晶体的优良方法.

关键词: 碘化铅 , 坩埚下降法 , 晶体富碘

室温核辐射探测材料PbI2晶体生长及退火改性研究

刘静 , 张羽

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.12.010

以多晶碘化铅(PbI2)为原料,采用垂直布里奇曼法进行单晶生长,研究了PbI2单晶的生长特性,随后对单晶进行真空退火和气氛退火,并测试了生长态、真空退火态以及气氛退火态3种不同状态下晶体的光致发光谱(PL)、Ⅰ-V特性以及红外透过率.研究表明,在碘蒸汽中气氛退火后的碘化铅单晶质量较高,PL谱中激子(EX)峰的半峰宽有所下降,红外透过率从生长态的10%提升至30%左右,电阻率从生长态的3.3×109 Ω·cm提高至5.6×109 Ω·cm,可以有效提高晶体的探测效率.气氛退火有利于提高碘化铅的单晶质量,使其各项性能更加适用于室温核辐射探测器.

关键词: 碘化铅 , 垂直布里奇曼法 , 退火

温度梯度对核辐射探测器用PbI2晶体生长影响研究

刘静 , 张羽

硅酸盐通报

以多晶碘化铅(PbI2)为原料,采用垂直布里奇曼法进行单晶生长,研究了PbI2单晶的生长特性,并研究了不同生长条件下晶体的宏观形貌、显微形貌、缺陷以及Ⅰ-Ⅴ特性.研究表明在温度梯度为5 K/cm时生长的碘化铅与温度梯度为0.6 K/cm以及1 K/cm生长的单晶相比,晶体质量较高,宏观缺陷和显微缺陷均有所减少,电阻率从6.7×108 Ω·cm以及6.8×108 Ω·cm提高至3.3 × 109Ω·cm可以有效提高晶体的探测效率.优化生长时的温度梯度有利于碘化铅单晶质量的提高,使其各项性能更加适用于室温核辐射探测器.

关键词: 碘化铅 , 辐射探测 , 垂直布里奇曼法

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