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碲基复合薄膜在纳米尺度下的电学特性研究

甘平 , 辜敏 , 卿胜兰 , 鲜晓东

功能材料

分别采用AFM和原子力/扫描探针显微镜（AFM/SPM）在纳米尺度下对碲基复合（Te/TeO2-SiO2）薄膜的表面电势、电容梯度等电学特性进行测量。测试结果表明控制电压为-0.8V,反应时间为200s条件下制备的碲基复合薄膜的表面电势差达到700mV,相对介电常数小于以硅为主要成分的衬底相对介电常数。利用光谱分析,碲基复合薄膜的禁带宽度约为3.14eV。

关键词: 碲基复合薄膜 , 原子力/扫描探针显微镜 , 表面电势 , 电容梯度