高德友
,
赵北君
,
朱世富
,
唐世红
,
何知宇
,
张冬敏
,
方军
,
程曦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.003
探索了一种Cd1-xZnxTe(CZT)探测器晶片退火的新装置和新方法,该装置可以方便有效的对CZT单晶片进行同组分源退火研究.利用XRD、红外透射谱和晶体电阻率表征了采用该装置在富Cd的同组分CZT粉末源包裹下,选择适宜的退火温度和时间进行退火后的CZT单晶片,晶片的电阻率有一定的提高,红外透过率有一定改善.XRD分析表明,经过退火后,CZT单晶片中的cd组分含量有一定增加.采用该方法退火后,晶体品质有一定提高.
关键词:
碲锌镉单晶片
,
退火
,
电阻率
,
XRD
,
红外透射谱
