沈海军
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.05.012
采用Tersoff势的分子动力学方法,模拟了(5,5)型单壁碳、碳化硅及硅纳米管的熔化与轴向压缩过程,得到了不同温度下各纳米管的形态、原子径向分布、能量变化以及压缩力-应变曲线.进而,根据模拟结果,分析了它们熔化与压缩特性的差异.研究表明,碳、碳化硅及硅纳米管的熔点分别为6300、5600和2250K左右,它们熔化后分别呈现为网状、疏松的不规则球状以及紧密排布的球状形态;碳、碳化硅或硅纳米管的熔点、比热,熔化热以及承压能力均有碳管＞碳化硅管＞硅管的排序.
关键词:
碳纳米管
,
碳化硅纳米管
,
硅纳米管
,
分子动力学
,
熔化
,
压缩
宋久旭
,
杨银堂
,
王平
,
郭立新
人工晶体学报
基于第一性原理计算,对含有SiC反位缺陷或CSi反位缺陷碳化硅纳米管的电子结构和光学性质进行了研究.SiC缺陷在纳米管的表面形成了凸起,CSi缺陷在纳米管的表面形成了凹陷；这两种缺陷都导致在纳米管的导带底附近形成了缺陷能级,使得纳米管表现出n型电导；导带顶到杂质能级间的跃迁使得纳米管的光学带隙呈现了减小的趋势.这些结果对碳化硅纳米管电子器件和光学器件的研究都有较重要的参考价值.
关键词:
碳化硅纳米管
,
反位缺陷
,
电子结构
,
光学性质
