张波
,
李建保
,
孙晶晶
,
张淑霞
,
翟华嶂
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2002.01.006
通过碳热还原法合成了纳米SiC粉并对其在8.2～12.4GHz频率范围的介电参数进行了测量.通过改变铝含量和反应气氛分别得到了β,12H和21R型碳化硅粉.β-SiC粉具有比α-SiC粉高得多的相对介电常数ε′r=30～50)和介电损耗角正切值(tgδ=～0.7).虽然Al和N的固溶将SiC粉的电阻率减小到102Ω*cm的量级,但其相对介电常数和介电损耗却并没有增加,反而随Al含量的增加降低.
关键词:
介电性能
,
缺陷
,
碳热还原
,
碳化硅纳米粉
