徐安怀
,
陈晓杰
,
齐鸣
,
朱福英
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.005
采用气态源分子束外延( GSMBE)技术,以四溴化碳( CBr4)作为碳杂质源,系统研究了 InP衬 底上碳掺杂 p型 InGaAs材料的外延生长及其特性,在 AsH3压力 5.33× 104Pa,生长温度 500℃条件 下获得了空穴浓度高达 1× 1020/cm3、室温迁移率为 45cm2/Vs的重碳掺杂 p型 In0.53Ga0.47As材料. 研究了 CBr4和 AsH3束流强度以及生长温度等生长条件对碳掺杂 InGaAs外延层组份、空穴浓度和 迁移率的影响,并对不同生长条件下的氢钝化效应进行了分析.
关键词:
分子束外延
,
碳掺杂
,
四溴化碳
,
InGaAs
,
异质结双极晶体管
肖逸帆
,
柳松
,
向德成
,
王晔
硅酸盐通报
二氧化钛具有稳定性好、光效率高和不产生二次污染等特点.当前的研究工作主要是通过金属以及非金属的掺杂改性以提高其可见光活性以及抑制电荷复合.本文介绍了二氧化钛非金属碳掺杂改性的研究进展.分别就碳掺杂机理、制备方法、主要影响因素以及共掺杂等方面进行了详细的综述.
关键词:
二氧化钛
,
碳掺杂
,
可见光
,
光催化活性
侯清玉
,
张跃
,
张涛
功能材料
阐明了电负性理论是经典理论,不能准确判断只有氧空位锐钛矿半导体超胞与取代氧掺碳原子和氧空位同时存在的锐钛矿半导体超胞的成键特征,而共价键和混合键是量子效应问题,用多原子系统的Schrdinger方程或电子密度函数理论能完满解释.因此,所有计算都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法.研究只有氧空位锐钛矿TiO2的键型与取代氧掺碳和氧空位共存的锐钛矿TiO2的键型后发现,由共价键向离子键转化趋势的成键特征,纠正了由共价键向共价键转化的错误结论.
关键词:
碳掺杂
,
氧空位
,
锐钛矿TiO2
,
键型
,
理论
肖鹏
,
李露
,
卢露
,
张云怀
材料导报
采用电化学阳极氧化法制备TiO2纳米管列阵,并在CO气氛中对TiO2纳米管样品进行焙烧.XPS研究表明,在CO中焙烧的样品产生了Ti-C峰,说明有C的掺杂.SEM及XRD衍射实验表明,随着焙烧温度的升高,C的掺杂加速了TiO2纳米管的晶型结构向金红石相的转变,管壁明显增厚.以亚甲基蓝为光催化实验降解对象,研究了C掺杂对TiO2纳米管的光催化性能的影响,发现在550℃下焙烧后的TiO2纳米管具有较好的光催化活性,C的掺杂能明显提高TiO2纳米管的光催化性能.
关键词:
TiO2纳米管
,
碳掺杂
,
光催化
,
亚甲基蓝
王庆阳
,
闫果
,
刘国庆
,
焦高峰
,
熊晓梅
,
冯勇
,
张平祥
低温物理学报
采用Nb/Cu复合管作为外包套材料,通过原位法粉末装管工艺(PIT)制备了C掺杂MgB_2 /Nb/Cu线材.在高纯流动氩气保护条件下、650～950℃温度区间内烧结2h微观结构分析显示,通过该工艺制备的MgB_2/NbZr/Cu线材具有良好的晶粒连结性和较高的致密度.X射线衍射(XRD)分析表明在750℃左右可以生成纯度较高的MgB_2相,在低温和高温下烧结后均有杂相峰出现,并且高温烧结后所生成的相结构较为复杂.采用四引线法超导临界电流的测试结果表明,低温烧结后的线材具有超导电流传输性能,而当热处理温度超过750℃时,样品中的电流传输状态表现为正常电阻态.实验结果证实采用Nb作为原位法MgB_2超导线材的包套阻隔层时,成相热处理一般应该在低于750℃的温度下进行.
关键词:
二硼化镁线材
,
热处理温度
,
碳掺杂
,
超导电性
熊晓梅
,
闫果
,
刘国庆
,
王庆阳
,
冯勇
稀有金属材料与工程
采用X射线衍射仪和扫描电镜系统研究了纯MgB2和碳掺杂MgB2超导块材在的盐酸溶液中(pH=2)酸浸后的相成分和微观结构演变过程.XRD结果显示,纯MgB2和碳掺杂MgB2超导块材均迅速与盐酸反应而分解.分解反应在5 h后完全结束,主要的固态产物是B(OH)3和MgCl2(6H2O).SEM结果显示,纯MgB2和碳掺杂MgB2超导块材与酸反应都是从晶界处开始,与纯MgB2块材相比,碳掺杂MgB2块材在与酸反应后仍保持致密的结构特征.而对酸浸10 min后纯MgB2和碳掺杂MgB2块材的临界超导转变温度测定结果显示,碳掺杂MgB2块材的临界超导转变温度保持不变,说明碳掺杂可提高MgB2在酸中的稳定性.
关键词:
MgB2超导体
,
碳掺杂
,
酸
,
化学稳定性
张磊
,
姜训勇
,
张瑞
功能材料
Si具有高的储锂容量,但是其循环性能很差。采用机械合金化方法,对纯Si进行处理。同时以石墨、炭黑对纯Si进行掺杂以改善Si的循环特性。对于纯Si,随着球磨时间的延长,材料的非晶化程度增加;经过球磨后材料的平均粒径由原来的29μm变成0.2μm;由大的块状变为小的圆形颗粒。充放电结果表明未经球磨处理的纯Si的首次放电比容量较高,但放电比容量损失较大,循环性能差,而经过球磨的纯Si能增加首次放电比容量,循环性能变化不大;对纯Si采用石墨、炭黑掺杂后材料的首次放电比容量下降,循环性能有所提高;球磨和掺杂没有改变Si储锂的电位。经过阻抗分析发现,球磨后纯Si材料中Li的扩散系数增大。
关键词:
纯Si
,
碳掺杂
,
充放电性能
,
扩散系数
位威
,
于超
,
赵卿飞
,
钱旭芳
,
万颖
催化学报
doi:10.1016/S1872-2067(12)60567-1
制备了有序介孔碳-氧化钛吸附-光催化剂,利用可见光高效降解水中苯酚.为去除水中高浓度苯酚,设计了吸附-光催化循环,即暗条件吸附8h,分离催化剂和将固体催化剂置于可见光下辐照8h.经过10次循环,水中高浓度苯酚(200 mg/L)几乎可被完全降解.详细讨论了TiO2晶格中非金属掺杂、介孔碳壁对TiO2纳米颗粒聚集的阻抑作用、介孔孔道吸附苯酚性能等因素对吸附-光催化剂性能的影响.有序介孔碳-氧化钛复合体有效地结合了物理吸附和光化学降解技术,有望用于降解水中难生物降解的高浓度有机污染物.
关键词:
苯酚
,
可见光
,
二氧化钛
,
碳掺杂
,
介孔光催化剂
刘旭恒
,
赵中伟
中国有色金属学报
采用高温固相法合成LiFePO4/C材料,采用XRD和SEM对该材料性能进行表征.结果表明:采用不同原料合成的LiFePO4/C材料都具有规整的橄榄石型结构.原料对比实验表明,葡萄糖为碳源优于碳黑,草酸亚铁优于三价铁源;以葡萄糖为碳源、草酸亚铁为铁源合成的材料形貌规则,分散性好.电化学测试表明,以葡萄糖为碳源、草酸亚铁为铁源得到的LiFePO4/C材料0.1C时首次放电比容量达到152.2 mA·h/g,大电流密度下性能良好,3C时其首次放电比容量为140.8 mA·h/g,20次循环后仅衰减1.2%.
关键词:
LiFePO4/C
,
锂离子电池
,
正极材料
,
碳掺杂
向鑫
,
陈长安
,
刘柯钊
,
彭丽霞
,
饶咏初
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.04.011
通过离子注入技术在铝中引入C,He两元素,并采用氦热脱附谱(THDS)研究了C掺杂对铝中氦行为的影响.注He纯铝的THDS中存在四个氦释放区间,分别归于小间隙环的解离、位错环的合并、位错环的皱缩及氦泡向样品表面的迁移.C掺杂后,铝中形成了高热稳定性的HenVmCx型复合物,造成样品中气体释放延迟.然而,随着C掺杂剂量的增加,THDS谱发生显著改变,低温区出现明显的释放峰,且C掺杂量越高,低温区的释放峰个数越多.
关键词:
铝
,
氦热脱附谱
,
碳掺杂
,
氦行为
