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(Ga,In)As半导体MOVPE生长过程中源物质的热分解及半导体碳污染的分析

李长荣 , 王冈 , 李静波 , 张维敬

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.03.012

运用相平衡分析的方法,对(Ga,In)As半导体MOVPE生长过程中源物质热分解后的气相物种分压进行了分析,得到了沉积物种的生成率随各生长参数的变化规律,同时对气相物种分压与半导体碳污染的关系也进行了分析.

关键词: (Ga,In)As半导体 , 相平衡 , 热分解 , 碳污染

熔炼铀和铀合金用涂层研究进展

刘永胜 , 成来飞 , 张立同 , 徐永东 , 张显

稀有金属材料与工程

铀和铀合金用涂层不同于通常的耐高温涂层,不仅要求具有耐高温和抗热震,还要求涂层与基体和熔体之间具有化学稳定性.分析了熔炼过程中的铀和铀合金的碳污染源和污染机理.表明炉内的CO和涂层的缺陷面积是熔体碳污染的主要来源,而熔体的碳污染对涂层缺陷面积更敏感,并指出了涂层的设计要求.不同涂层材料体系和制备方法的比较表明:单层涂层不能满足高性能高质量铀和铀合金熔炼的要求;内层为阻挡层(碳化物或难熔金属W,Nb,Mo等),外层为Y2O3的复合涂层,能够满足高温铀合金的熔炼要求,是铀和铀合金用涂层的发展趋势.

关键词: 铀和铀合金 , 涂层 , 碳污染 , 研究进展

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