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本文在热丝化学气相沉积(HFCVD)系统上,采用不同的工艺参数进行了钛衬底掺硼金刚石(Ti/BDD)涂层电极的制备试验,研究了衬底温度和碳源浓度对Ti/BDD涂层电极质量的影响,优化了制备Ti/BDD涂层电极的工艺条件.结果表明,沉积Ti/BDD涂层电极最合适的衬底温度为770 ℃,最适宜的C/H为2.0%.采用循环伏安法研究了用优化的工艺参数制备的Ti/BDD涂层电极的电化学性能,结果表明Ti/BDD涂层电势窗口宽、析氧电位高、背景电流小,是一种有广阔应用前景的电极材料.

关键词: Ti/BDD涂层电极 , 衬底温度 , 碳源浓度 , 电化学性能

高取向低粗糙度金刚石薄膜生长的研究

康强 , 杨瑞霞 , 石双振

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.02.006

目的：研究热丝化学气相沉积( HFCVD)工艺对金刚石薄膜生长的影响，确定影响金刚石薄膜生长的因素。方法采用热丝CVD法，以丙酮为碳源，在不同晶面的Si衬底上沉积金刚石薄膜，通过金相显微镜、X射线衍射仪分析薄膜生长特性。结果不同沉积温度下生长的金刚石薄膜表面形貌差异很大。在高、低碳源浓度下分别获得了(400)和(111)晶面取向的金刚石薄膜。采用分步沉积法，改善了成膜的效率。结论气源浓度和生长温度是影响金刚石薄膜生长的重要因素，分步沉积法对于金刚石薄膜的生长有较大影响。

关键词: 金刚石薄膜 , 择优取向 , 碳源浓度 , 表面形貌

微/纳米CVD金刚石涂层沉积工艺参数优化

许晨阳 , 解亚娟 , 邓福铭 , 陈立 , 雷青

人工晶体学报

通过正交实验设计工艺参数,利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)制备金刚石涂层,采用扫描电镜、洛氏硬度计、X射线衍射仪等对金刚石涂层进行性能表征,同时进行切削试验,从而确定微米层和纳米层最佳的碳源浓度、沉积气压、热丝与基体间距.结果表明:最优微米金刚石涂层沉积工艺参数为碳源浓度2%,沉积气压3 kPa,热丝/基体间距5 mm.最优纳米金刚石涂层沉积工艺参数为碳源浓度5%,沉积气压5 kPa,热丝/基体间距8 mm.

关键词: 碳源浓度 , 沉积气压 , 热丝与基体间距

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Ti/BDD涂层电极的制备及其电化学性能研究

高取向低粗糙度金刚石薄膜生长的研究

微/纳米CVD金刚石涂层沉积工艺参数优化

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